Si (001)-(1X2) yüzeyi üzerinde bor oksit nanotelleri
Boron oxide nanowires on the Si (001)-(1X2) surface
- Tez No: 268545
- Danışmanlar: PROF. DR. MEHMET ŞİMŞEK
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2009
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 63
Özet
Bu tez çalışmasında Si(001)-(1 2) yüzeyi üzerinde B2O3 nanotellerinin oluşumu yerel yoğunluk yaklaşımı (LDA) kullanılarak Castep bilgisayar programı ile araştırıldı. Oluşturulan 8 katmanlı temiz Si yüzeyi üzerine farklı sayıda B2O3 molekülü bırakılarak hesaplamalar tekrarlandı. Yüzey üzerine konulan B2O3 molekülünün, yüzey topolojisini etkilediği ve sonuç olarak yüzeydeki ve yüzeye yakın Si atomlarının arasındaki bağ uzunluklarını değiştirdiği tespit edildi. Yüzeye eklenen iki (B2O3) ve üç (B2O3) molekülünün yüzeyi bir (B2O3) moleküle göre daha fazla değiştirdiği görüldü. Yüzeye bir molekül tutunduğunda, temiz yüzeyde oluşan Si ? Si bağlarının kırılmamasına rağmen iki ve üç molekül tutunduğunda, Si ? Si bağlarının kırıldığı gözlendi. Ayrıca, bir molekülle yüzeyde B2O3 nanoteli oluşmazken, iki ve üç molekül eklendiğinde nanotellerinin oluştuğu görüldü.
Özet (Çeviri)
Using the local density approximation (LDA), Boron oxide (B2O3) nanowires on Si (001)-(1 2) surface are investigated with Castep program. The Si surface with 8 layers was constructed and then B2O3 was left on this surface in different numbers. Adding B2O3 on the surface affects the topology of the surface and the bonds of surface atoms, and also those of near the surface atoms, so changed locations of Si atoms and bond lengths. We showed that adding two B2O3 and three B2O3 have changed the surface more than that one B2O3. When the single B2O3 molecule absorbed on the surface, Si-Si bonds on the clean surface do not break, they break in the case of two or three B2O3 molecules are absorbed. Additionally, while the single B2O3 molecule does not form a nanowire on the surface, two or tree B2O3 molecules are forming shape of the nanowires.
Benzer Tezler
- Silisyum yüzeyinde toplanan atom veya molekülün atomik ve elektronik özellikleri
Atomic and electronic properties of atom or moleculer adsorbed on Si surface
ZEYNEP AYDUĞAN
Doktora
Türkçe
2009
Fizik ve Fizik MühendisliğiAnkara ÜniversitesiFizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. BORA ALKAN
- Adsorption and growth on Si(001) surface
Si(001) yüzeyinde tutunma ve büyüme
RİAD SHALTAF
Doktora
İngilizce
2004
Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ.DR. ŞİNASİ ELLİALTIOĞLU
- Si(001)yüzeyinin atomik ve elektronik yapısı
Atomic and electronic structure of the Si(001) surface
ÇAĞIL KADEROĞLU
Yüksek Lisans
Türkçe
2007
Fizik ve Fizik MühendisliğiAnkara ÜniversitesiFizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. BORA ALKAN
- Simultaneous STM/ AC-AFM investigation of clean Si(001)-(2x1) surface and Ge epitaxial growth on Si(001)-(2x1)
Temiz Si(001)-(2x1) yüzeyi ve üzerine eşörgüsel Ge tabakası büyütülmüş Si(001)-(2x1) yüzeylerinin TTM/ temassız AKM eşzamanlı kullanılarak incelenmesi
MEHRDAD ATABAK
Yüksek Lisans
İngilizce
2001
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. AHMET ORAL
- Bao/si(001)-(2X1) arayüzeyinin teorik olarak incelenmesi
Theoretical investigation of the bao/si (001)-(2X1) interface
BERRİN SULTAN EŞME
Yüksek Lisans
Türkçe
2019
Fizik ve Fizik MühendisliğiAksaray ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. SİBEL ÖZCAN