Bir boyutlu elektron gazının elektronik özellikleri
The electronic properties of the one dimensional electron gas
- Tez No: 269252
- Danışmanlar: DOÇ. DR. AFİF SIDDIKİ, YRD. DOÇ. DR. MUSTAFA ULAŞ
- Tez Türü: Doktora
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2010
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Trakya Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 112
Özet
Bu çalışmada, yarı iletken bir kristal yapı içerisinde elde edilen iki boyutluelektron gazı (2BEG) incelenmiştir. Yapıda 2BEG' nın geometrisini belirlemek içinkapı, kesme ve streç kapı tanımlı yöntemler kullanılmıştır. 2BEG' da ek bir kısıtlamagetirebilmek için ise kuantum nokta kontaklar (KNK) kullanılmıştır. KNK' larıngeometri, boyut, uç nokta açıklığı ve sistemde tek veya çift bulunmasından 2BEG' dakitoplam potansiyel ve elektron yoğunluğu etkilenmektedir. Elektron-elektron ve donorelektronarası etkileşmelerde Coulomb etkileşmesi baskın kısmı oluşturmaktadır. Yarıiletken yapının modellemesinde kristal büyütme parametreleri, sistem boyutları,kullanılan teknikler de hesaba katılarak üç boyutlu Poisson denklemi açık sınır koşullarıiçin öz uyumlu olarak çözülmüştür. Bu hesap için EST3D isimli kod kullanılmıştır.2BEG' da KNK uçlarındaki bir boyutlu toplam potansiyeli gören bir elektronun enerjive bulunma olasılıkları ise sonlu farklar metodu ile hesaplanmıştır. z ve y eksenleridoğrultusunda farklı uzaklıklarda bulunan bir yabancı atom varlığında elektronunbulunma olasılıkları ve bağlanma enerjileri varyasyon metodu ile elde edilmiştir. KNKuçlarındaki bir boyutlu potansiyelin enerji ve genişlikleri kenar tanımlamalarına veKNK özelliklerine göre değişmektedir. Kesme tanımlı ve KNK açıklığının az olduğudurumlarda kuyu potansiyelinin enerji değerinin arttığı ve kuyunun daraldığıgösterilmiştir. Bundan dolayı elektron bulunma olasılıkları ve enerji değerleri önemlişekilde değişmektedir.
Özet (Çeviri)
In this work, we investigate the two dimensional electron gas (2DEG) induced atthe semiconductor structure. To determine the geometry of the 2DEG at the device, weemployed gate, etch and trench gate methods. An additional confinement in onedimension is imposed on the 2DEG by quantum point contacts (QPC). The totalpotential energy and electron distribution are affected by the geometry, size, openingwidth and the number of QPCs defined on the structure. The Coulomb interaction is thedominant ingredient of the electron-electron and donor-electron interactions. For themodeling of the semiconductor structure, we solved the three dimensional Poissonequation self consistently taking into account crystal growth parameters, system sizeand different definition techniques, considering open boundary conditions. Thenumerical algorithm EST3D is utilized for our calculations. Electron probabilities andenergies are calculated using finite difference method for the one dimensional potentialprofile which is obtained at the 2DEG considering the opening of the QPC. Theprobabilities and energies of the electrons are obtained using a variational approach inthe presence of an impurity, investigating the effect of different locations of theimpurity at z and y directions. Numerical value and shape of the one dimensionalpotential energy at the cross-section of the QPC are influenced by the edge definitionand properties of the QPC. We show that the potential energy of the well increases andthe width of the well decreases for a narrow QPCs and if they are etch defined.Therefore, the electron probabilities and energies change significantly.
Benzer Tezler
- Modülasyon katkılı hetero-eklemlerin elektronik özellikleri
Electronic properties of modulation doped heterojunctions
A. TÜRKER TÜZEMEN
Yüksek Lisans
Türkçe
1999
Fizik ve Fizik MühendisliğiÇukurova ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. METİN ÖZDEMİR
- Paralel manyetik alan altında bir boyutlu kuantum sisteminin elektronik enerji spektrumu
Electronic eigen energy values of a one dimensional system under parallel magnetic field
HÜSEYİN KAYA
Yüksek Lisans
Türkçe
2002
Fizik ve Fizik MühendisliğiCumhuriyet ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ.DR. SEZAİ ELAGÖZ
- Al katkılı GaN malzemesinin taşınım özellikleri
Transport characteristics of Al doped GaN
DENİZ CESUR
Yüksek Lisans
Türkçe
2019
Fizik ve Fizik MühendisliğiMersin ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ZEKİ YARAR
- Yeni nesil gaz sensörü olarak cuo nanotabaka kusur merkezi ile karbon monoksit gazının etkileşiminin yoğunluk fonksiyonel teorisi ile incelemeleri
Investigation of the interaction of cuo nano layer defect center with carbon monoxide gas as a new generation gas sensor using density functional theory
PAKİZE TURHAN
Yüksek Lisans
Türkçe
2024
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SEFER BORA LİŞESİVDİN
- Düşük sıcaklıklarda q-deforme fermiyon gaz modelinin istatistiksel mekanik özelliklerinin incelenmesi ve bir fiziksel uygulaması
Investigation of low-temperature statistical mechanical properties of a q-deformed fermion gas model and its physical application
MUSTAFA ŞENAY
Doktora
Türkçe
2016
Fizik ve Fizik MühendisliğiEskişehir Osmangazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ABDULLAH ALĞIN