Al/p-Si (100) Schottky engelli diyotların I-V ölçümleri
I-V measurements of Al/p-Si (100) Schottky barriers diodes
- Tez No: 275119
- Danışmanlar: YRD. DOÇ. Ö. FARUK YÜKSEL
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2010
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Selçuk Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 54
Özet
Bu çalışmada, (100) yönelimli, 280 kalınlığında, bor (B) katkılı p tipi Si kullanılarak termal buharlaştırma metodu ile Al/p-Si diyot hazırlandı. Bu diyotun 296-380 K sıcaklık aralığında farklı sıcaklıklar için akım gerilim (I-V) ölçümleri yapıldı. Bu ölçümler kullanılarak, farklı yöntemlerle schottky diyotun idealite faktörü, engel yüksekliği ve seri direnç parametreleri hesaplandı.
Özet (Çeviri)
In this study; We have prepared Al/p-Si Schottky diodes in the (100) orientation, with the thickness of 280 B-doped obtained by thermal evaporating system. Current-voltage (I-V) characteristic of this diode were measured at different temperatures in the range of 296-380 K. Using these experimental data ideality factory, barrier height and series resistance parameters of this Schottky diode was calculated with different methods.
Benzer Tezler
- P+ PM, p+PP+ yapılarının akım-iletim özellikleri ve yapısal parametrelerin tayini
Başlık çevirisi yok
AHMET KARAPINAR
Doktora
Türkçe
1990
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. NECATİ YALÇIN
- Al/SiNx/p-Si(100) (MYY) Schottky diyotların elektriksel karakteristiklerinin düşük sıcaklıklarda incelenmesi
Investigation of electrical characteristics of Al/SiNx/p-Si(100) (MIS) Schottky diodes at low temperatures
SEDAT ZEYREK
Doktora
Türkçe
2005
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
Y.DOÇ.DR. MAHİR BÜLBÜL
- Al/p-Si Schottky bariyer diyotun y-ışını radyasyon etkisi üzerinde elektriksel parametrelerinin hesaplanması
y-ray irradiation effect on the calculation of electronic parameters of a Al/p-Si Schottky barrier diode
SERHAT GÜLOĞLU
Yüksek Lisans
Türkçe
2011
Fizik ve Fizik MühendisliğiDicle ÜniversitesiKatıhal Fiziği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. M. ENVER AYDIN
- Organik yarıiletken/inorganik yarı iletken heteroeklem diyodunun elektriksel özelliklerinin incelenmesi
The investigation of electrical properties organic semiconductor/inorganic semiconductor diode
ŞURA HAMİDİ
Yüksek Lisans
Türkçe
2011
Fizik ve Fizik MühendisliğiDicle ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ENVER AYDIN
- Politiyofen(P3DMTPT) arayüzeyli Al/p-Si Schottky diyotun akım-voltaj ve kapasite-voltaj karakteristikleri
The study electronics properties of P3DMTPT/Al/p-type Si structures
AYŞE GÖKCE
Yüksek Lisans
Türkçe
2015
Fizik ve Fizik MühendisliğiSüleyman Demirel ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. AHMET FARUK ÖZDEMİR