Geri Dön

Al/p-Si (100) Schottky engelli diyotların I-V ölçümleri

I-V measurements of Al/p-Si (100) Schottky barriers diodes

  1. Tez No: 275119
  2. Yazar: HİLMİ BAYRAM
  3. Danışmanlar: YRD. DOÇ. Ö. FARUK YÜKSEL
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2010
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Selçuk Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 54

Özet

Bu çalışmada, (100) yönelimli, 280 kalınlığında, bor (B) katkılı p tipi Si kullanılarak termal buharlaştırma metodu ile Al/p-Si diyot hazırlandı. Bu diyotun 296-380 K sıcaklık aralığında farklı sıcaklıklar için akım gerilim (I-V) ölçümleri yapıldı. Bu ölçümler kullanılarak, farklı yöntemlerle schottky diyotun idealite faktörü, engel yüksekliği ve seri direnç parametreleri hesaplandı.

Özet (Çeviri)

In this study; We have prepared Al/p-Si Schottky diodes in the (100) orientation, with the thickness of 280 B-doped obtained by thermal evaporating system. Current-voltage (I-V) characteristic of this diode were measured at different temperatures in the range of 296-380 K. Using these experimental data ideality factory, barrier height and series resistance parameters of this Schottky diode was calculated with different methods.

Benzer Tezler

  1. P+ PM, p+PP+ yapılarının akım-iletim özellikleri ve yapısal parametrelerin tayini

    Başlık çevirisi yok

    AHMET KARAPINAR

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    1990

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. NECATİ YALÇIN

  2. Al/SiNx/p-Si(100) (MYY) Schottky diyotların elektriksel karakteristiklerinin düşük sıcaklıklarda incelenmesi

    Investigation of electrical characteristics of Al/SiNx/p-Si(100) (MIS) Schottky diodes at low temperatures

    SEDAT ZEYREK

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2005

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    Y.DOÇ.DR. MAHİR BÜLBÜL

  3. Al/p-Si Schottky bariyer diyotun y-ışını radyasyon etkisi üzerinde elektriksel parametrelerinin hesaplanması

    y-ray irradiation effect on the calculation of electronic parameters of a Al/p-Si Schottky barrier diode

    SERHAT GÜLOĞLU

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2011

    Fizik ve Fizik MühendisliğiDicle Üniversitesi

    Katıhal Fiziği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. M. ENVER AYDIN

  4. Organik yarıiletken/inorganik yarı iletken heteroeklem diyodunun elektriksel özelliklerinin incelenmesi

    The investigation of electrical properties organic semiconductor/inorganic semiconductor diode

    ŞURA HAMİDİ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2011

    Fizik ve Fizik MühendisliğiDicle Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. ENVER AYDIN

  5. Politiyofen(P3DMTPT) arayüzeyli Al/p-Si Schottky diyotun akım-voltaj ve kapasite-voltaj karakteristikleri

    The study electronics properties of P3DMTPT/Al/p-type Si structures

    AYŞE GÖKCE

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2015

    Fizik ve Fizik MühendisliğiSüleyman Demirel Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. AHMET FARUK ÖZDEMİR