Properties of electrodeposited metalic systems(Schottky diodes) on semiconductor substrates
Elektrodepolama yöntemiyle metal yarı iletken sistemlerin özellikleri
- Tez No: 284131
- Danışmanlar: PROF. DR. ÖMER FARUK BAKKALOĞLU
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Silisyum, Schottky bariyer diyot, Elektodepolama yöntemi, Silicon, Schottky barrier diodes, Electrodeposition Method
- Yıl: 2011
- Dil: İngilizce
- Üniversite: Gaziantep Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Mühendisliği Bölümü
- Bilim Dalı: Fizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Bu çalışmada, (100) doğrultusunda büyütülmüş, 150 nm kalınlıklı ve 10-20 ?m öz dirençli ve n tipi Silisyum kullanarak, elektrodepolama yöntemiyle oluşturduğumuz Cr/n-Si Shottky diyotların elektriksel özellikleri inceledi. Bu diyotların elektriksel karakteristikleri, akım-voltaj (I-V) ve kapasitans-voltaj (C-2-V) ölçümlerinin yardımıyla belirlendi.Elektrodepolama yöntemiyle oluşturduğumuz Cr/n-Si diyotun bariyer yükseklikleri ve idealite faktörleri sıcaklığa bağlı olarak incelenip lineer ilişki yardımıyla belirlendi. TE teoremine göre; idealite faktörünün sıcaklık azaldıkça arttığını, bariyer yüksekliğinin ise sıcaklık arttıkça arttığı gösterildi.Schottky bariyer yüksekliğinin oluşum teorisinde, Schottky bariyer yüksekliğinin özdeşliği ve homojenliği önemli bir konudur ve Schottky bariyer diyot ve kontakların oluşumunda önemli bir daldır. Böylece yarı-iletken madde iyi karakterize edilip homojen Schottky bariyer yüksekliği, tek bir kontağın I-V karakteristiğinden de elde edilebilinir. Bu amaçla, yaklaşık 1.25x1015 cm-3 katkı yoğunluklu Cr/n-tipi Si SBDlar hazırlandı ve BHlı lineer bölge kullanıldı. Cr/n-tipi Si yapılarının elektriksel karakteristikleri sıcaklığa bağlı olarak 80 ile 320 0K arasında 20 0K arttırarak incelendi.
Özet (Çeviri)
In this study, by using n-type Si substrate with (100) orientation, 150 nm thickness and 10-20 ?m resistivity and chromium doped, thin film Schottky diode system (Cr/n-Si SBHs which is electrochemically formed on n-type Si) is constructed and characterized.In the electrical characterization of this diodes, the current ?voltoge (I-V) and the capacitance ? voltage (C-V) measurements are done.The basic diode parameters such as ideality factor (n) and barrier height (?b) were consequently extracted from electrical measurements. It has been shown that the ideality factors increased and barrier heights decreased with the decreasing temperatures, on the basis of the thermionic emission (TE) theory.The homogeneity or the uniformity of the Schottky BH is an issue with important implications on the theory of Schottky barrier formation and important ramifications for the operation of Schottky barrier diodes and contacts. Thus, provided semiconductor substrate is well characterized, the homogeneous Schottky BH may be obtained even from the I-V characteristics of one contact. For this purpose ,Cr/n-type Si SBHs with a doping density of about 1.25x1015 cm-3 is prepared and the linear region with large BHs is used. The electrical characterisitics of Cr/n-type structures were investigated in the wide temperature range (80-320 K) by steps of 20 K.
Benzer Tezler
- Dokuma kumaşlarda örgü tipinin ham kumaşın boyutları ve geometrik özellikleri üzerindeki etkilerinin araştırılması
Başlık çevirisi yok
EMEL ÖNDER
Yüksek Lisans
Türkçe
1985
Tekstil ve Tekstil MühendisliğiEge ÜniversitesiTekstil Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. GÜNGÖR BAŞER
- Ege bölgesi keçi liflerinin bazı önemli fiziksel, kimyasal özellikleri ve değerlendirme imkanları
Başlık çevirisi yok
NİLÜFER ERDEM
Doktora
Türkçe
1985
Tekstil ve Tekstil MühendisliğiEge ÜniversitesiTekstil Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. GÜLSEREN YAZICIOĞLU
- Gebelik ve doğum olgularında prolaktin düzeylerinin değerlendirilmesi
The Evaluation of prolactin values during pregnancy labour and in deliveries
TÜLİN AKAN
Tıpta Uzmanlık
Türkçe
1987
Kadın Hastalıkları ve DoğumGazi ÜniversitesiKadın Hastalıkları ve Doğum Ana Bilim Dalı
DOÇ.DR. MÜLAZIM YILDIRIM
- Çeltik kabuklarının yalıtım malzemesi olarak kullanılması
Başlık çevirisi yok
B.CİHAN ÇELEBİ
Yüksek Lisans
Türkçe
1986
Makine MühendisliğiUludağ ÜniversitesiMakine Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. MEHMET KIRBIYIK
- Değişik derim zamanı ve önsoğutmanın Bursa siyahı incir çeşidinin meyve kalitesi ve pazarlama süresi üzerine etkileri
Effects of haruest time and precooling on fruit quality and shelf-life of the fig variety“Bursa siyahı”
FÜSUN GÜRSEL ÇELİKEL