Properties of electrodeposited metalic systems(Schottky diodes) on semiconductor substrates
Elektrodepolama yöntemiyle metal yarı iletken sistemlerin özellikleri
- Tez No: 284131
- Danışmanlar: PROF. DR. ÖMER FARUK BAKKALOĞLU
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Silisyum, Schottky bariyer diyot, Elektodepolama yöntemi, Silicon, Schottky barrier diodes, Electrodeposition Method
- Yıl: 2011
- Dil: İngilizce
- Üniversite: Gaziantep Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Mühendisliği Bölümü
- Bilim Dalı: Fizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
- Sayfa Sayısı: 66
Özet
Bu çalışmada, (100) doğrultusunda büyütülmüş, 150 nm kalınlıklı ve 10-20 ?m öz dirençli ve n tipi Silisyum kullanarak, elektrodepolama yöntemiyle oluşturduğumuz Cr/n-Si Shottky diyotların elektriksel özellikleri inceledi. Bu diyotların elektriksel karakteristikleri, akım-voltaj (I-V) ve kapasitans-voltaj (C-2-V) ölçümlerinin yardımıyla belirlendi.Elektrodepolama yöntemiyle oluşturduğumuz Cr/n-Si diyotun bariyer yükseklikleri ve idealite faktörleri sıcaklığa bağlı olarak incelenip lineer ilişki yardımıyla belirlendi. TE teoremine göre; idealite faktörünün sıcaklık azaldıkça arttığını, bariyer yüksekliğinin ise sıcaklık arttıkça arttığı gösterildi.Schottky bariyer yüksekliğinin oluşum teorisinde, Schottky bariyer yüksekliğinin özdeşliği ve homojenliği önemli bir konudur ve Schottky bariyer diyot ve kontakların oluşumunda önemli bir daldır. Böylece yarı-iletken madde iyi karakterize edilip homojen Schottky bariyer yüksekliği, tek bir kontağın I-V karakteristiğinden de elde edilebilinir. Bu amaçla, yaklaşık 1.25x1015 cm-3 katkı yoğunluklu Cr/n-tipi Si SBDlar hazırlandı ve BHlı lineer bölge kullanıldı. Cr/n-tipi Si yapılarının elektriksel karakteristikleri sıcaklığa bağlı olarak 80 ile 320 0K arasında 20 0K arttırarak incelendi.
Özet (Çeviri)
In this study, by using n-type Si substrate with (100) orientation, 150 nm thickness and 10-20 ?m resistivity and chromium doped, thin film Schottky diode system (Cr/n-Si SBHs which is electrochemically formed on n-type Si) is constructed and characterized.In the electrical characterization of this diodes, the current ?voltoge (I-V) and the capacitance ? voltage (C-V) measurements are done.The basic diode parameters such as ideality factor (n) and barrier height (?b) were consequently extracted from electrical measurements. It has been shown that the ideality factors increased and barrier heights decreased with the decreasing temperatures, on the basis of the thermionic emission (TE) theory.The homogeneity or the uniformity of the Schottky BH is an issue with important implications on the theory of Schottky barrier formation and important ramifications for the operation of Schottky barrier diodes and contacts. Thus, provided semiconductor substrate is well characterized, the homogeneous Schottky BH may be obtained even from the I-V characteristics of one contact. For this purpose ,Cr/n-type Si SBHs with a doping density of about 1.25x1015 cm-3 is prepared and the linear region with large BHs is used. The electrical characterisitics of Cr/n-type structures were investigated in the wide temperature range (80-320 K) by steps of 20 K.
Benzer Tezler
- Thermoelectric properties of laser-induced graphene based nanocomposites
Lazer indüklenmiş grafen tabanlı nanokompozitlerin termoelektrik özellikleri
CEM KINCAL
Doktora
İngilizce
2024
Bilim ve Teknolojiİstanbul Teknik ÜniversitesiMalzeme Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DR. ÖĞR. ÜYESİ NURİ SOLAK
- Investigation of the catalytic performance of tin nanowires produced by aluminum anodic oxide template method for electrochemical CO2 reduction
Alüminyum anodik oksit şablon yöntemiyle üretilen kalay nanotellerin elektrokimyasal CO2 redüksiyonuna yönelik katalitik performansinin i̇ncelenmesi
DİLAN ER GÖNÜL
Doktora
İngilizce
2023
Metalurji Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiMalzeme Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MUSTAFA KAMİL ÜRGEN
- Optimization of Cu2ZnSnS4 absorber layers via sulfurization of electrodeposited Cu-Zn-Sn precursors for photovoltaic applications
Başlık çevirisi yok
BEGÜM ÜNVEROĞLU
- Functional anti-icing and anti-corrosive composites
Fonksiyonel buzlanma önleyici ve korozyon önleyici kompozitler
AATIF IJAZ
Doktora
İngilizce
2018
KimyaKoç ÜniversitesiMalzeme Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ADEM LEVEND DEMİREL
- Hull hücresi yardımıyla ni-w alaşım kaplama özelliklerinin belirlenmesi
Optimization of properties of electrodeposited ni-w alloys with hull cell
MİRAY EKMEKÇİLER
Yüksek Lisans
Türkçe
2012
Metalurji Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesiİleri Teknolojiler Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MUSTAFA ÜRGEN