Geri Dön

Properties of electrodeposited metalic systems(Schottky diodes) on semiconductor substrates

Elektrodepolama yöntemiyle metal yarı iletken sistemlerin özellikleri

  1. Tez No: 284131
  2. Yazar: ÖZDEN DEMİRCİOĞLU
  3. Danışmanlar: PROF. DR. ÖMER FARUK BAKKALOĞLU
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Silisyum, Schottky bariyer diyot, Elektodepolama yöntemi, Silicon, Schottky barrier diodes, Electrodeposition Method
  7. Yıl: 2011
  8. Dil: İngilizce
  9. Üniversite: Gaziantep Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Mühendisliği Bölümü
  12. Bilim Dalı: Fizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
  13. Sayfa Sayısı: 66

Özet

Bu çalışmada, (100) doğrultusunda büyütülmüş, 150 nm kalınlıklı ve 10-20 ?m öz dirençli ve n tipi Silisyum kullanarak, elektrodepolama yöntemiyle oluşturduğumuz Cr/n-Si Shottky diyotların elektriksel özellikleri inceledi. Bu diyotların elektriksel karakteristikleri, akım-voltaj (I-V) ve kapasitans-voltaj (C-2-V) ölçümlerinin yardımıyla belirlendi.Elektrodepolama yöntemiyle oluşturduğumuz Cr/n-Si diyotun bariyer yükseklikleri ve idealite faktörleri sıcaklığa bağlı olarak incelenip lineer ilişki yardımıyla belirlendi. TE teoremine göre; idealite faktörünün sıcaklık azaldıkça arttığını, bariyer yüksekliğinin ise sıcaklık arttıkça arttığı gösterildi.Schottky bariyer yüksekliğinin oluşum teorisinde, Schottky bariyer yüksekliğinin özdeşliği ve homojenliği önemli bir konudur ve Schottky bariyer diyot ve kontakların oluşumunda önemli bir daldır. Böylece yarı-iletken madde iyi karakterize edilip homojen Schottky bariyer yüksekliği, tek bir kontağın I-V karakteristiğinden de elde edilebilinir. Bu amaçla, yaklaşık 1.25x1015 cm-3 katkı yoğunluklu Cr/n-tipi Si SBDlar hazırlandı ve BHlı lineer bölge kullanıldı. Cr/n-tipi Si yapılarının elektriksel karakteristikleri sıcaklığa bağlı olarak 80 ile 320 0K arasında 20 0K arttırarak incelendi.

Özet (Çeviri)

In this study, by using n-type Si substrate with (100) orientation, 150 nm thickness and 10-20 ?m resistivity and chromium doped, thin film Schottky diode system (Cr/n-Si SBHs which is electrochemically formed on n-type Si) is constructed and characterized.In the electrical characterization of this diodes, the current ?voltoge (I-V) and the capacitance ? voltage (C-V) measurements are done.The basic diode parameters such as ideality factor (n) and barrier height (?b) were consequently extracted from electrical measurements. It has been shown that the ideality factors increased and barrier heights decreased with the decreasing temperatures, on the basis of the thermionic emission (TE) theory.The homogeneity or the uniformity of the Schottky BH is an issue with important implications on the theory of Schottky barrier formation and important ramifications for the operation of Schottky barrier diodes and contacts. Thus, provided semiconductor substrate is well characterized, the homogeneous Schottky BH may be obtained even from the I-V characteristics of one contact. For this purpose ,Cr/n-type Si SBHs with a doping density of about 1.25x1015 cm-3 is prepared and the linear region with large BHs is used. The electrical characterisitics of Cr/n-type structures were investigated in the wide temperature range (80-320 K) by steps of 20 K.

Benzer Tezler

  1. Thermoelectric properties of laser-induced graphene based nanocomposites

    Lazer indüklenmiş grafen tabanlı nanokompozitlerin termoelektrik özellikleri

    CEM KINCAL

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2024

    Bilim ve Teknolojiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Malzeme Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DR. ÖĞR. ÜYESİ NURİ SOLAK

  2. Investigation of the catalytic performance of tin nanowires produced by aluminum anodic oxide template method for electrochemical CO2 reduction

    Alüminyum anodik oksit şablon yöntemiyle üretilen kalay nanotellerin elektrokimyasal CO2 redüksiyonuna yönelik katalitik performansinin i̇ncelenmesi

    DİLAN ER GÖNÜL

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2023

    Metalurji Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Malzeme Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MUSTAFA KAMİL ÜRGEN

  3. Functional anti-icing and anti-corrosive composites

    Fonksiyonel buzlanma önleyici ve korozyon önleyici kompozitler

    AATIF IJAZ

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2018

    KimyaKoç Üniversitesi

    Malzeme Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ADEM LEVEND DEMİREL

  4. Hull hücresi yardımıyla ni-w alaşım kaplama özelliklerinin belirlenmesi

    Optimization of properties of electrodeposited ni-w alloys with hull cell

    MİRAY EKMEKÇİLER

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2012

    Metalurji Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    İleri Teknolojiler Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MUSTAFA ÜRGEN