Schottky diyotlarında ters akımların nötron bombardımanından sonra sıcaklığa bağlı olarak değişiminin incelenmesi
Başlık çevirisi mevcut değil.
- Tez No: 29382
- Danışmanlar: PROF. DR. DURUL ÖREN
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 1993
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Yıldız Teknik Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 57
Özet
ÖZET Bu çalışmada, önce piyasada yaygın olarak modern elek tronik cihazlarda kullanılan Schottky diyotları ters besleme yapılarak, sıcaklığa bağlı olarak değişimleri incelenmiştir. Daha sonra nötron radyasyonunun diyotların karakteristikle rinde oluşturdukları değişiklikler incelendi. Schottky diyotları (BA-159, BA-157) İ.T.Ü. TRIGA MARK II Araştırma Reaktöründe değişik nötron akılarında ışınlandı ve (I-T), (lnJ-l/kT), (C-V), (1/C2-V) karakteristikleri çizilerek Schottky engel yükseklikleri hesaplanmıştır. Bu engel yüksekliklerinin zaman içindeki değişimi hesaplandı ve sonuçlar yorumlandı.
Özet (Çeviri)
SUMMARY In the present work, firstly, Schottky diodes which are commonly used in modern electronic instruments are reverse biased and studied under heat treatment. Neutron radiation testing was performed on two different types Schottky diodes to investigate the changes in the charac teristics of them after neutron exposure. The Schottky diodes (BA-159, BA-157) were irradiated in TRIGA MARK II Research Reactor in Technical University of Istanbul. Experimental procedure is explained and (I-T) (InJ-l/kT), (C-V), (1/C2-V) characteristics are drawn. By means of these characteristics Schottky barier heights are calculated. And the changes in the barier heights of these diodes have been determined and discussed during the time after neutron radiation.
Benzer Tezler
- Schottky metalinin kalınlığı ve H2 tavlamasının Au/n-GaAs diyotlarının karakteristik parametreleri üzerine etkileri
Influences of the thickness of the schottky metal and hydrogen annealing on the characteristic diode parameters of the Au/n-GaAs diodes
ÖMER GÜLLÜ
Yüksek Lisans
Türkçe
2004
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
Y.DOÇ.DR. MEHMET BİBER
- Kızılötesi (IR) hassas fotodedektör tasarımı ve üretimi
Design and fabrication of infrared (IR) sensitive photodetector
ESRA EFİL KUTLUOĞLU
- Cu/p-Si Schottky diyotlarının karakteristik parametrelerinin belirlenmesi
The determination the current mechanism of the Cu/p-Si Schottky diodes
HAMZA TEMİR
Yüksek Lisans
Türkçe
2005
Fizik ve Fizik MühendisliğiNiğde ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
Y.DOÇ.DR. AHMET GÜMÜŞ
- Al/P-Si Schottky diyotlarında MS ve MOS yapılarda diyot parametrelerinin karşılaştırılması
In Al/P-Si Schottky diodes and MS and MOS states on the comparation of diodes parameters
İKRAM KELEŞ
Yüksek Lisans
Türkçe
2008
Fizik ve Fizik MühendisliğiYüzüncü Yıl ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. BAHRİ BATI
- Au-Sb/n-Si/Cu Schottky diyodlarında seri direncin 1-V ve C-V karakteristiklerine etkisi
Başlık çevirisi yok
BAHRİ BATI
Yüksek Lisans
Türkçe
1997
Fizik ve Fizik MühendisliğiYüzüncü Yıl ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ALİ KÖKÇE