Geri Dön

Schottky diyotlarında ters akımların nötron bombardımanından sonra sıcaklığa bağlı olarak değişiminin incelenmesi

Başlık çevirisi mevcut değil.

  1. Tez No: 29382
  2. Yazar: ŞEFİYE ÜREKMEZ
  3. Danışmanlar: PROF. DR. DURUL ÖREN
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 1993
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Yıldız Teknik Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 57

Özet

ÖZET Bu çalışmada, önce piyasada yaygın olarak modern elek tronik cihazlarda kullanılan Schottky diyotları ters besleme yapılarak, sıcaklığa bağlı olarak değişimleri incelenmiştir. Daha sonra nötron radyasyonunun diyotların karakteristikle rinde oluşturdukları değişiklikler incelendi. Schottky diyotları (BA-159, BA-157) İ.T.Ü. TRIGA MARK II Araştırma Reaktöründe değişik nötron akılarında ışınlandı ve (I-T), (lnJ-l/kT), (C-V), (1/C2-V) karakteristikleri çizilerek Schottky engel yükseklikleri hesaplanmıştır. Bu engel yüksekliklerinin zaman içindeki değişimi hesaplandı ve sonuçlar yorumlandı.

Özet (Çeviri)

SUMMARY In the present work, firstly, Schottky diodes which are commonly used in modern electronic instruments are reverse biased and studied under heat treatment. Neutron radiation testing was performed on two different types Schottky diodes to investigate the changes in the charac teristics of them after neutron exposure. The Schottky diodes (BA-159, BA-157) were irradiated in TRIGA MARK II Research Reactor in Technical University of Istanbul. Experimental procedure is explained and (I-T) (InJ-l/kT), (C-V), (1/C2-V) characteristics are drawn. By means of these characteristics Schottky barier heights are calculated. And the changes in the barier heights of these diodes have been determined and discussed during the time after neutron radiation.

Benzer Tezler

  1. Schottky metalinin kalınlığı ve H2 tavlamasının Au/n-GaAs diyotlarının karakteristik parametreleri üzerine etkileri

    Influences of the thickness of the schottky metal and hydrogen annealing on the characteristic diode parameters of the Au/n-GaAs diodes

    ÖMER GÜLLÜ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2004

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    Y.DOÇ.DR. MEHMET BİBER

  2. Kızılötesi (IR) hassas fotodedektör tasarımı ve üretimi

    Design and fabrication of infrared (IR) sensitive photodetector

    ESRA EFİL KUTLUOĞLU

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2022

    Bilim ve TeknolojiGazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ELİF ORHAN

  3. Cu/p-Si Schottky diyotlarının karakteristik parametrelerinin belirlenmesi

    The determination the current mechanism of the Cu/p-Si Schottky diodes

    HAMZA TEMİR

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2005

    Fizik ve Fizik MühendisliğiNiğde Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    Y.DOÇ.DR. AHMET GÜMÜŞ

  4. Al/P-Si Schottky diyotlarında MS ve MOS yapılarda diyot parametrelerinin karşılaştırılması

    In Al/P-Si Schottky diodes and MS and MOS states on the comparation of diodes parameters

    İKRAM KELEŞ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2008

    Fizik ve Fizik MühendisliğiYüzüncü Yıl Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. BAHRİ BATI

  5. Au-Sb/n-Si/Cu Schottky diyodlarında seri direncin 1-V ve C-V karakteristiklerine etkisi

    Başlık çevirisi yok

    BAHRİ BATI

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1997

    Fizik ve Fizik MühendisliğiYüzüncü Yıl Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. ALİ KÖKÇE