Geri Dön

Al/polythiophene(PTh)-SiO2/p-Si/Al diyodun elektronik özellikleri

The study of the electronics properties of Al/polythiophene(PTh)-SiO2/p-Si/Al structured diode

  1. Tez No: 295118
  2. Yazar: MUSTAFA ESEN
  3. Danışmanlar: PROF. DR. ALİ KÖKCE
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Schottky diyot, polythiophene ara yüzey, idealite faktörü, engel yüksekliği, Arayüzler, Politiyofen, Schottky diyodları, Schottky diode, polymer interfacial layer, density of interface states, Interfaces, Barrier height, Polythiophene, Schottky diodes, Ideality factor
  7. Yıl: 2011
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Süleyman Demirel Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.

Özet

Bu çalışmada polimer ara yüzey olarak PTh-SiO2 kullanılan Schottky kontağın elektronik özellikleri incelenmiştir. Schottky diyot imalinde [1 0 0] doğrultusunda büyütülmüş 1 Ohm-cm özdirence sahip p-tipi silisyum taban kullanılmıştır. Elde edilen Schottky kontağın özellikleri, karanlıkta ve oda sıcaklığında gerçekleştirilen I-V, C-V, f-C ölçüm değerleri kullanılarak hesaplanmıştır.Termoiyonik emisyon teorisine göre idealite faktörü 2,107 engel yüksekliği 0,729 eV. olarak bulunmuştur. Yine I-V ölçümleri ve Cheung fonksiyonları kullanılarak, idealite faktörü, 8,02, engel yüksekliği, 0,574 eV ve seri direnç, 1,05 KOhm bulunmuştur. I-V ölçüm değerleri ile son olarak Norde fonksiyon sonuçları hesaplanmış ve idealite faktörü, 2,51, engel yüksekliği 0,729 eV, ve seri direnç, 34,5 Ohm olarak bulunmuştur.Engel yüksekliği ve taşıyıcı yoğunluğu değerleri, C?2?V grafiğinin ters besleme kısmı, kullanılarak bulunmuştur. Bu hesaplamalara göre engel yüksekliği, 0,915 eV civarlarında bulunmuş, frekansla değiştiği gözlenmiştir. Alıcı yoğunluğu ise 5,7×1015 cm?3 olarak bulunmuştur.

Özet (Çeviri)

The junction characteristics of the conducting polymer PTh-SiO2 on a p-type Si substrate have been studied. In this study, to fabricate a Schottky diode with polymer interface, p-type silicon wafer with [1 0 0] orientation and 1 Ohm-cm resistivity was used. The characteristic parameters of the diode have been obtained by using data optained from I-V, C-V, f-C measurements which were performed at room temperature, in dark.According to the thermoiyonic emission theory, the ideality factor found as 2.107 and barrier height found as 0.729 eV. Using the same measurement values and Cheung functions, the ideality factor of, 8.02, barrier height of 0.574 eV and serial resistance of 1.05 KOhm values were found. Using the I-V measurement data, finally Norde functions are calculated and ideality factor of 2.51, barrier height of 0.729 eV and serial resistance of 34.5 Ohm values were found.The barrier height and carrier concentration values for diode were extracted from its reverse bias C?2?V characteristic. The barrier height and acceptor density obtained from this calculation were found about 0.915 eV and 5.7×1015 cm?3 respectively.

Benzer Tezler

  1. Politiyofen/karbon nanotüp kompozitine dayalı yeni bir dopamin biyosensörü geliştirilmesi

    Development of a new dopamine biosensor based on polythiophene/carbon nanotube composite

    BARIŞ BALIKÇI

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2019

    KimyaBurdur Mehmet Akif Ersoy Üniversitesi

    Malzeme Teknolojileri Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. SONGÜL ŞEN GÜRSOY

    DOÇ. DR. SADIK ÇOĞAL

  2. Lignin/politiyofen (Lİ/PTH) kompozitinin sentezi, karakterizasyonu ve adsorbant olarak kullanımının araştırılması

    Synthesis, characterization and investigation of the usage as an adsorbent of lignin/polythiophene (Li/PTh) composite

    OĞULCAN ÇATALKAYA

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2025

    Mühendislik BilimleriBurdur Mehmet Akif Ersoy Üniversitesi

    Malzeme Teknolojileri Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. SONGÜL ŞEN GÜRSOY

  3. Preparatıon of metal nanopartıcles modıfıed polymer fılm electrodes; theır characterızatıons and applıcatıons

    Metal nano parçacik modi̇fi̇ye poli̇mer fi̇lm elektrotlarin hazirlanmasi, karakteri̇zasyonu ve uygulamalari

    ŞÜKRİYE ULUBAY KARABİBEROĞLU

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2014

    KimyaEge Üniversitesi

    Kimya Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ZEKERYA DURSUN

  4. Electrochemical and scanning probe microscopic studies on modified carbon fiber surfaces

    Modifiye edilmiş karbon fiber yüzeylerinde elektrokimyasal ve taramalı prop mikroskopik çalışmalar

    CAN METEHAN TURHAN

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2008

    Polimer Bilim ve Teknolojisiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Polimer Bilim ve Teknolojisi Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. A. SEZAİ SARAÇ

  5. Birleşik tiyofen temelli bileşiklerin klik reaksiyonu ile polimerleştirilmesi, elektronik ve optoelektronik özelliklerinin araştırılması ve uygulamaları

    Polymerization of fused thiophene based compounds via cli̇k reaction, researching of their electronic, optoelectronic properties and their applications

    ALİ BUYRUK

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2014

    Kimyaİstanbul Teknik Üniversitesi

    Kimya Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. TURAN ÖZTÜRK