Al/polythiophene(PTh)-SiO2/p-Si/Al diyodun elektronik özellikleri
The study of the electronics properties of Al/polythiophene(PTh)-SiO2/p-Si/Al structured diode
- Tez No: 295118
- Danışmanlar: PROF. DR. ALİ KÖKCE
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Schottky diyot, polythiophene ara yüzey, idealite faktörü, engel yüksekliği, Schottky diode, polymer interfacial layer, density of interface states
- Yıl: 2011
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Süleyman Demirel Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 75
Özet
Bu çalışmada polimer ara yüzey olarak PTh-SiO2 kullanılan Schottky kontağın elektronik özellikleri incelenmiştir. Schottky diyot imalinde [1 0 0] doğrultusunda büyütülmüş 1 Ohm-cm özdirence sahip p-tipi silisyum taban kullanılmıştır. Elde edilen Schottky kontağın özellikleri, karanlıkta ve oda sıcaklığında gerçekleştirilen I-V, C-V, f-C ölçüm değerleri kullanılarak hesaplanmıştır.Termoiyonik emisyon teorisine göre idealite faktörü 2,107 engel yüksekliği 0,729 eV. olarak bulunmuştur. Yine I-V ölçümleri ve Cheung fonksiyonları kullanılarak, idealite faktörü, 8,02, engel yüksekliği, 0,574 eV ve seri direnç, 1,05 KOhm bulunmuştur. I-V ölçüm değerleri ile son olarak Norde fonksiyon sonuçları hesaplanmış ve idealite faktörü, 2,51, engel yüksekliği 0,729 eV, ve seri direnç, 34,5 Ohm olarak bulunmuştur.Engel yüksekliği ve taşıyıcı yoğunluğu değerleri, C?2?V grafiğinin ters besleme kısmı, kullanılarak bulunmuştur. Bu hesaplamalara göre engel yüksekliği, 0,915 eV civarlarında bulunmuş, frekansla değiştiği gözlenmiştir. Alıcı yoğunluğu ise 5,7×1015 cm?3 olarak bulunmuştur.
Özet (Çeviri)
The junction characteristics of the conducting polymer PTh-SiO2 on a p-type Si substrate have been studied. In this study, to fabricate a Schottky diode with polymer interface, p-type silicon wafer with [1 0 0] orientation and 1 Ohm-cm resistivity was used. The characteristic parameters of the diode have been obtained by using data optained from I-V, C-V, f-C measurements which were performed at room temperature, in dark.According to the thermoiyonic emission theory, the ideality factor found as 2.107 and barrier height found as 0.729 eV. Using the same measurement values and Cheung functions, the ideality factor of, 8.02, barrier height of 0.574 eV and serial resistance of 1.05 KOhm values were found. Using the I-V measurement data, finally Norde functions are calculated and ideality factor of 2.51, barrier height of 0.729 eV and serial resistance of 34.5 Ohm values were found.The barrier height and carrier concentration values for diode were extracted from its reverse bias C?2?V characteristic. The barrier height and acceptor density obtained from this calculation were found about 0.915 eV and 5.7×1015 cm?3 respectively.
Benzer Tezler
- Birleşik tiyofen temelli bileşiklerin klik reaksiyonu ile polimerleştirilmesi, elektronik ve optoelektronik özelliklerinin araştırılması ve uygulamaları
Polymerization of fused thiophene based compounds via cli̇k reaction, researching of their electronic, optoelectronic properties and their applications
ALİ BUYRUK
- Süyuti'nin el-Muzhir isimli eserinin içerik ve metot açısından incelenmesi
The examining of al-Suyuti's work titled al-Muzhir in terms of content and methods
SENAN UMUYEV
Yüksek Lisans
Türkçe
2015
DilbilimSakarya ÜniversitesiTemel İslam Bilimleri Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. HAMZA ERMİŞ
- Al-Ukyânûsu'l-Basît fî Tarcamati'l-Kâmûsi'l-Muhît - Bâbu'l Kaf Faslu'l-fâ «al-uʾāk - al-İfāka» giriş -Metin - sözlük -dizin
Al-Ukyânûsu 'l-Basît fî Tarcamati̇'l-Kâmûsi̇ 'l-Muhît Bâbu'l-Kâf - fâ - Arti̇cle « al-fuʾāk - al-ifāka» introduction –Text - vocabulary - index
MERAL YAĞMUR
Yüksek Lisans
Türkçe
2015
Türk Dili ve EdebiyatıErzincan ÜniversitesiTürk Dili ve Edebiyatı Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. FAYSAL OKAN ATASOY
- Al/Poly(Methyl methacrylate)/p-Si organik schottky diyotların üretimi, elektrik ve dielektrik özelliklerinin incelenmesi
Fabrication, investigation electrical and dielectric properties of Al/poly(methyl methacrylate)/p-Si organic schottky diodes
FİKRET GONCA ARAS
Doktora
Türkçe
2015
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiNanobilim ve Nanomühendislik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MEHMET ERTUĞRUL
PROF. DR. ELİF ORHAN
- Al/SiC kompozitlerin karıştırmalı döküm yöntemi ile üretilmesi ve işlenebilme özelliklerinin incelenmesi
Production of SiC reinforced al matrix composite by melt stirring method and investigation of machinability properties
HADİ BİLİR
Yüksek Lisans
Türkçe
2014
Makine MühendisliğiKırıkkale ÜniversitesiMakine Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. RECEP ÇALIN