Geri Dön

Al/polythiophene(PTh)-SiO2/p-Si/Al diyodun elektronik özellikleri

The study of the electronics properties of Al/polythiophene(PTh)-SiO2/p-Si/Al structured diode

  1. Tez No: 295118
  2. Yazar: MUSTAFA ESEN
  3. Danışmanlar: PROF. DR. ALİ KÖKCE
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Schottky diyot, polythiophene ara yüzey, idealite faktörü, engel yüksekliği, Schottky diode, polymer interfacial layer, density of interface states
  7. Yıl: 2011
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Süleyman Demirel Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 75

Özet

Bu çalışmada polimer ara yüzey olarak PTh-SiO2 kullanılan Schottky kontağın elektronik özellikleri incelenmiştir. Schottky diyot imalinde [1 0 0] doğrultusunda büyütülmüş 1 Ohm-cm özdirence sahip p-tipi silisyum taban kullanılmıştır. Elde edilen Schottky kontağın özellikleri, karanlıkta ve oda sıcaklığında gerçekleştirilen I-V, C-V, f-C ölçüm değerleri kullanılarak hesaplanmıştır.Termoiyonik emisyon teorisine göre idealite faktörü 2,107 engel yüksekliği 0,729 eV. olarak bulunmuştur. Yine I-V ölçümleri ve Cheung fonksiyonları kullanılarak, idealite faktörü, 8,02, engel yüksekliği, 0,574 eV ve seri direnç, 1,05 KOhm bulunmuştur. I-V ölçüm değerleri ile son olarak Norde fonksiyon sonuçları hesaplanmış ve idealite faktörü, 2,51, engel yüksekliği 0,729 eV, ve seri direnç, 34,5 Ohm olarak bulunmuştur.Engel yüksekliği ve taşıyıcı yoğunluğu değerleri, C?2?V grafiğinin ters besleme kısmı, kullanılarak bulunmuştur. Bu hesaplamalara göre engel yüksekliği, 0,915 eV civarlarında bulunmuş, frekansla değiştiği gözlenmiştir. Alıcı yoğunluğu ise 5,7×1015 cm?3 olarak bulunmuştur.

Özet (Çeviri)

The junction characteristics of the conducting polymer PTh-SiO2 on a p-type Si substrate have been studied. In this study, to fabricate a Schottky diode with polymer interface, p-type silicon wafer with [1 0 0] orientation and 1 Ohm-cm resistivity was used. The characteristic parameters of the diode have been obtained by using data optained from I-V, C-V, f-C measurements which were performed at room temperature, in dark.According to the thermoiyonic emission theory, the ideality factor found as 2.107 and barrier height found as 0.729 eV. Using the same measurement values and Cheung functions, the ideality factor of, 8.02, barrier height of 0.574 eV and serial resistance of 1.05 KOhm values were found. Using the I-V measurement data, finally Norde functions are calculated and ideality factor of 2.51, barrier height of 0.729 eV and serial resistance of 34.5 Ohm values were found.The barrier height and carrier concentration values for diode were extracted from its reverse bias C?2?V characteristic. The barrier height and acceptor density obtained from this calculation were found about 0.915 eV and 5.7×1015 cm?3 respectively.

Benzer Tezler

  1. Birleşik tiyofen temelli bileşiklerin klik reaksiyonu ile polimerleştirilmesi, elektronik ve optoelektronik özelliklerinin araştırılması ve uygulamaları

    Polymerization of fused thiophene based compounds via cli̇k reaction, researching of their electronic, optoelectronic properties and their applications

    ALİ BUYRUK

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2014

    Kimyaİstanbul Teknik Üniversitesi

    Kimya Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. TURAN ÖZTÜRK

  2. Mechanical properties of PM AI-Sic compasides produced by conventional hot-pressing method

    Geleneksel sıcak presleme yöntemi ile üretilmiş TM AI-Sic kompozitlerin mekanik özellikleri

    GÜRLER KAYA

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    1999

    Metalurji MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Metalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. RIZA GÜRBÜZ

  3. Al matrisli Al2O3 takviyeli kompozit malzemelerinin katı hal teknikleri ile kaynak edilebilirliğinin araştırılması

    The investigation of weldability of al matrix-Al2O3 reinforced composite materials with solid state bonding methods

    SONER BUYTOZ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1999

    Eğitim ve ÖğretimFırat Üniversitesi

    Metalurji Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. NURİ ORHAN

  4. Al-alaşımlarında yaşlandırma sertleşmesiyle aşınma dayanımının iyileştirilmesi

    Improvement of resistance to corrosion with ageing hardness in aluminium alloys

    ÜMİT GÜRKAN BİRİCİK

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1999

    Makine MühendisliğiUludağ Üniversitesi

    Makine Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. A. HALİM DEMİRCİ

  5. Al-sütunlu kil katalizörlerinin hazırlanması, karakterizasyonu ve piridin adsorpsiyonuyla yüzey asitliklerinin belirlenmesi

    Preparation and characterization of al-pillared clay catalysts and determination of their surface acidity by pyridine adsorption

    MUSTAFA AVCI

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1999

    KimyaDicle Üniversitesi

    Kimya Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. M. KADİR YURDAKOÇ