AlN yarıiletken bileşiğinin iletim özelliklerinin Monte Carlo Yöntemi ile incelenmesi
Monte Carlo study of electron transport properties of AlN compound semiconductor
- Tez No: 299817
- Danışmanlar: YRD. DOÇ. DR. ÖMER ÖZBAŞ
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Alüminyum nitrür, Kristal yapı, Monte Carlo Yöntemi, Saçılma, Aluminum nitride, Crystal structure, Monte Carlo Method, Scattering
- Yıl: 2011
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Eskişehir Osmangazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Katıhal Fiziği Bilim Dalı
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Monte Carlo yöntemi, materyal modellemesine uygulanabilen ve deneysel olarak doğrudan gözlenemeyecek fiziksel süreçlerin incelenmesinde kullanılan bir simülasyon tekniğidir.Alüminyum nitrit (AlN) materyali, geniş bant aralıklı, III-V grubu yarıiletkendir. Bu materyal yüksek ısıl iletkenliğe sahiptir, son derece sert, çok kuvvetli piezoelektrik özelliktedir ve yüksek sıcaklıklarda sıra dışı bir direnç ortaya koyar. Bu özellikleriyle yarıiletken uygulamaları için çok ilgi çekicidir.Bu çalışmada AlN yarıiletkeninin taşınım özellikleri incelendi. AlN yarıiletken materyali 6,2 eV'luk geniş bant aralığı nedeniyle deneysel olarak incelemesi zor bir materyaldir. Monte Carlo simulasyon yöntemi bu amaçla kullanıldı. Elektrik alanın bir fonksiyonu olarak elektronun sürüklenme hızı, ortalama elektron enerjisi, ortalama serbest zaman, mobilite; ? ve L vadi saçılmaları dikkate alınarak incelendi. Simülasyonda; akustik fonon, polar optik fonon, iyonize safsızlık, dislokasyon, vadilerarası saçılmaları dikkate alındı.Bulunan sonuçlar, literatürdeki diğer çalışmalarla karşılaştırıldı.
Özet (Çeviri)
Monte Carlo method is simulation technique which can be applied in material modelling and can be used in physical process that will not be observated directly experimental.Aluminuim nitride (AlN) is a wide band gap III-V semiconductor with a high thermal conductivity, an extreme hardness, very strong piezoelectric properties and an extraordinary resistance to high temperatures. This material is interesting with these properties for semiconductor device applications.In this study, transport properties of AlN semiconductor compound was investigated. The investigating AlN material is difficult because of 6,2 eV wide bant gap.Monte Carlo simulation method was used for this purpose. As a function of electric field, drift velocity, mean electron energy, mean free time, mobility was investigated accountry ? and L valley. In simulation, acoustic phonon, polar optic phonon, ionized impurity, dislocation, intervalley scattering mechanisms were taken into considereation.The results obtained were compared with other results in literature.
Benzer Tezler
- Yüksek dielektrik sabitli yalıtkan filmlerin üretilmesi ve mos yapıda incelenmesi
Fabrication and characterization of high-k dielectric films in mos structure
AYŞE EVRİM SAATCİ
Doktora
Türkçe
2015
Fizik ve Fizik MühendisliğiYıldız Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. KUBİLAY KUTLU
- Si tabanlı Ru(II) kompleks yapısına Alq3 organik bileşiğinin elektriksel ve fotovoltaik özelliklerini arttırmadaki etkisi
The effect of the Alq3 organic compound on increasing the electrical and photovoltaic properties of the Si based Ru (II) complex structure
MEHMET AKİF ŞAHİNKAYA
Yüksek Lisans
Türkçe
2020
Fizik ve Fizik MühendisliğiBingöl ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. NEZİR YILDIRIM
- Plasma-assisted atomic layer deposition of III-nitride thin films
III-nitrür ince filmlerin plazma-destekli atomik katman biriktirme yöntemi ile büyütülmesi
ÇAĞLA AKGÜN
Doktora
İngilizce
2014
Bilim ve Teknolojiİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiMalzeme Bilimi ve Nanoteknoloji Ana Bilim Dalı (disiplinlerarası)
YRD. DOÇ. DR. NECMİ BIYIKLI
- Metal/organik/inorganik yarıiletken yapıların sıcaklığa bağlı olarak elektriksel ve optik parametrelerinin belirlenmesi
Determination of temperature dependent electrical and optical parameters of metal/organic/inorganic semiconductor structures
ENİSE ÖZERDEN
Doktora
Türkçe
2014
Fizik ve Fizik MühendisliğiDicle ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. TAHSİN KILIÇOĞLU
- AlGaN ince filminin ısıl işlem sonrası yapısal ve optiksel özelliklerinin incelenmesi
An investigation of optical and structural properties of AlGaN thin films after thermal processing
YASEMİN DİNÇ
Yüksek Lisans
Türkçe
2007
Fizik ve Fizik MühendisliğiBalıkesir ÜniversitesiKimya Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. ORHAN ZEYBEK