AlN yarıiletken bileşiğinin iletim özelliklerinin Monte Carlo Yöntemi ile incelenmesi
Monte Carlo study of electron transport properties of AlN compound semiconductor
- Tez No: 299817
- Danışmanlar: YRD. DOÇ. DR. ÖMER ÖZBAŞ
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2011
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Eskişehir Osmangazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Katıhal Fiziği Bilim Dalı
- Sayfa Sayısı: 74
Özet
Monte Carlo yöntemi, materyal modellemesine uygulanabilen ve deneysel olarak doğrudan gözlenemeyecek fiziksel süreçlerin incelenmesinde kullanılan bir simülasyon tekniğidir.Alüminyum nitrit (AlN) materyali, geniş bant aralıklı, III-V grubu yarıiletkendir. Bu materyal yüksek ısıl iletkenliğe sahiptir, son derece sert, çok kuvvetli piezoelektrik özelliktedir ve yüksek sıcaklıklarda sıra dışı bir direnç ortaya koyar. Bu özellikleriyle yarıiletken uygulamaları için çok ilgi çekicidir.Bu çalışmada AlN yarıiletkeninin taşınım özellikleri incelendi. AlN yarıiletken materyali 6,2 eV'luk geniş bant aralığı nedeniyle deneysel olarak incelemesi zor bir materyaldir. Monte Carlo simulasyon yöntemi bu amaçla kullanıldı. Elektrik alanın bir fonksiyonu olarak elektronun sürüklenme hızı, ortalama elektron enerjisi, ortalama serbest zaman, mobilite; ? ve L vadi saçılmaları dikkate alınarak incelendi. Simülasyonda; akustik fonon, polar optik fonon, iyonize safsızlık, dislokasyon, vadilerarası saçılmaları dikkate alındı.Bulunan sonuçlar, literatürdeki diğer çalışmalarla karşılaştırıldı.
Özet (Çeviri)
Monte Carlo method is simulation technique which can be applied in material modelling and can be used in physical process that will not be observated directly experimental.Aluminuim nitride (AlN) is a wide band gap III-V semiconductor with a high thermal conductivity, an extreme hardness, very strong piezoelectric properties and an extraordinary resistance to high temperatures. This material is interesting with these properties for semiconductor device applications.In this study, transport properties of AlN semiconductor compound was investigated. The investigating AlN material is difficult because of 6,2 eV wide bant gap.Monte Carlo simulation method was used for this purpose. As a function of electric field, drift velocity, mean electron energy, mean free time, mobility was investigated accountry ? and L valley. In simulation, acoustic phonon, polar optic phonon, ionized impurity, dislocation, intervalley scattering mechanisms were taken into considereation.The results obtained were compared with other results in literature.
Benzer Tezler
- Nitrit temelli (III-V) yarıiletken heteroyapıların morfolojik ve elektriksel özelliklerinin incelenmesi
Investigaton of morphologic and electrical properties of nitride-based (III-V) semiconductor?s heterostructure
ZEKİ TEKELİ
- AlxGa1-xN yarı iletken alaşımının enerji-bant hesaplamaları
Energy-bant calculation of AlxGa1-xN alloys
AYTEN KAYA
Yüksek Lisans
Türkçe
2007
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesiİleri Teknolojiler Ana Bilim Dalı
PROF.DR. BÜLENT KUTLU
- Üçlü alaşım wurtzite InxGa1-xN malzemenin band yapısı hesabı
Band structure calculation of the wurtzite phase material, ternary alloy, InxGa1-xN
SEVİL SARIKURT
Yüksek Lisans
Türkçe
2007
Fizik ve Fizik MühendisliğiDokuz Eylül ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF.DR. İSMAİL SÖKMEN
- III-N tipi yarıiletkenler ile berilyum kalkojenlerin yapısal elektronik ve titreşim özelliklerinin incelenmesi
Investigation of structural electronic and vibrational properties of III-N materials and beryllium chalcogenides
SADIK BAĞCI
- AlGaN ince filminin ısıl işlem sonrası yapısal ve optiksel özelliklerinin incelenmesi
An investigation of optical and structural properties of AlGaN thin films after thermal processing
YASEMİN DİNÇ
Yüksek Lisans
Türkçe
2007
Fizik ve Fizik MühendisliğiBalıkesir ÜniversitesiKimya Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. ORHAN ZEYBEK