Geri Dön

AlN yarıiletken bileşiğinin iletim özelliklerinin Monte Carlo Yöntemi ile incelenmesi

Monte Carlo study of electron transport properties of AlN compound semiconductor

  1. Tez No: 299817
  2. Yazar: NİLGÜN EROL
  3. Danışmanlar: YRD. DOÇ. DR. ÖMER ÖZBAŞ
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2011
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Eskişehir Osmangazi Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Katıhal Fiziği Bilim Dalı
  13. Sayfa Sayısı: 74

Özet

Monte Carlo yöntemi, materyal modellemesine uygulanabilen ve deneysel olarak doğrudan gözlenemeyecek fiziksel süreçlerin incelenmesinde kullanılan bir simülasyon tekniğidir.Alüminyum nitrit (AlN) materyali, geniş bant aralıklı, III-V grubu yarıiletkendir. Bu materyal yüksek ısıl iletkenliğe sahiptir, son derece sert, çok kuvvetli piezoelektrik özelliktedir ve yüksek sıcaklıklarda sıra dışı bir direnç ortaya koyar. Bu özellikleriyle yarıiletken uygulamaları için çok ilgi çekicidir.Bu çalışmada AlN yarıiletkeninin taşınım özellikleri incelendi. AlN yarıiletken materyali 6,2 eV'luk geniş bant aralığı nedeniyle deneysel olarak incelemesi zor bir materyaldir. Monte Carlo simulasyon yöntemi bu amaçla kullanıldı. Elektrik alanın bir fonksiyonu olarak elektronun sürüklenme hızı, ortalama elektron enerjisi, ortalama serbest zaman, mobilite; ? ve L vadi saçılmaları dikkate alınarak incelendi. Simülasyonda; akustik fonon, polar optik fonon, iyonize safsızlık, dislokasyon, vadilerarası saçılmaları dikkate alındı.Bulunan sonuçlar, literatürdeki diğer çalışmalarla karşılaştırıldı.

Özet (Çeviri)

Monte Carlo method is simulation technique which can be applied in material modelling and can be used in physical process that will not be observated directly experimental.Aluminuim nitride (AlN) is a wide band gap III-V semiconductor with a high thermal conductivity, an extreme hardness, very strong piezoelectric properties and an extraordinary resistance to high temperatures. This material is interesting with these properties for semiconductor device applications.In this study, transport properties of AlN semiconductor compound was investigated. The investigating AlN material is difficult because of 6,2 eV wide bant gap.Monte Carlo simulation method was used for this purpose. As a function of electric field, drift velocity, mean electron energy, mean free time, mobility was investigated accountry ? and L valley. In simulation, acoustic phonon, polar optic phonon, ionized impurity, dislocation, intervalley scattering mechanisms were taken into considereation.The results obtained were compared with other results in literature.

Benzer Tezler

  1. Nitrit temelli (III-V) yarıiletken heteroyapıların morfolojik ve elektriksel özelliklerinin incelenmesi

    Investigaton of morphologic and electrical properties of nitride-based (III-V) semiconductor?s heterostructure

    ZEKİ TEKELİ

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2009

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Fizik Bölümü

    PROF. DR. MEHMET ÇAKMAK

  2. AlxGa1-xN yarı iletken alaşımının enerji-bant hesaplamaları

    Energy-bant calculation of AlxGa1-xN alloys

    AYTEN KAYA

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2007

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    İleri Teknolojiler Ana Bilim Dalı

    PROF.DR. BÜLENT KUTLU

  3. Üçlü alaşım wurtzite InxGa1-xN malzemenin band yapısı hesabı

    Band structure calculation of the wurtzite phase material, ternary alloy, InxGa1-xN

    SEVİL SARIKURT

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2007

    Fizik ve Fizik MühendisliğiDokuz Eylül Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF.DR. İSMAİL SÖKMEN

  4. III-N tipi yarıiletkenler ile berilyum kalkojenlerin yapısal elektronik ve titreşim özelliklerinin incelenmesi

    Investigation of structural electronic and vibrational properties of III-N materials and beryllium chalcogenides

    SADIK BAĞCI

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2008

    Bilim ve TeknolojiSakarya Üniversitesi

    Fizik Bölümü

    PROF. DR. HÜSEYİN MURAT TÜTÜNCÜ

  5. AlGaN ince filminin ısıl işlem sonrası yapısal ve optiksel özelliklerinin incelenmesi

    An investigation of optical and structural properties of AlGaN thin films after thermal processing

    YASEMİN DİNÇ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2007

    Fizik ve Fizik MühendisliğiBalıkesir Üniversitesi

    Kimya Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. ORHAN ZEYBEK