Düşük sıcaklıkta GaAs yapısının MBE ile büyütülmesi ve karakterizasyonu
Optical and structural analysis of LTG-GaAs layered semiconductor structures
- Tez No: 301859
- Danışmanlar: PROF. DR. SÜLEYMAN ÖZÇELİK
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2010
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: İleri Teknolojiler Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Bu çalışmada, elektromanyetik dalga spektrumunun kızıl ötesi bölümünde yer alan terahertz dalgalarının üretme ve algılama yöntemleri incelendi. Terahertz dalgaların oluşturulmasında yarıiletken GaAs anten yapılar tercih edildi. Yarı iletken kristal büyütme tekniklerinden Düşük Sıcaklık (LT) Moleküler Demet Epitaksi (MBE) büyütme yöntemi ile GaAs kristal yapısı büyütüldü. Büyütülen numuneden alınan ve farklı sıcaklıklarda tavlanan parçalarda oluşan yapıların yapısal özellikleri X-Işını Kırınımı (HR-XRD) ve Optik Mikroskop sistemleri aracılığıyla incelenerek terahertz antenler için uygunluğu belirlendi.
Özet (Çeviri)
In this study, the generation and detection method of terahertz wavelenghts which take place on the infrared part of electromagnetic wave spectrum are investigated. Semiconducture GaAs antena structures are preferred to be created terahertz wavelengths. GaAs crystal structure are grown by using one of semiconductor crystal grown techniques low temperature Molecular Beam Epitaxy (MBE) grown. Structural properties of the formed structures at the pieces taken from the grown sample and annealed at different temperetures investigated by high resolution X-Ray diffraction (HR-XRD), and Optical Microscope systems whether it is appropriate for the terahertz antenna.
Benzer Tezler
- A1xGa1-xAs/GaAs nanoyapılarının MBE yöntemi ile büyütülmesi ve elektrofiziksel özellikleri
The growth of A1xGa1-xAs/GaAs narostructures with MBE method and the investigation of electrophysical properties
AYLİN BENGİ
Yüksek Lisans
Türkçe
2005
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesiİleri Teknolojiler Ana Bilim Dalı
PROF.DR. TOFİG MAMMADOV
- InxGa1-xAs / GaAs çoklu kuantum kuyu yapısının mbe tekniği ile büyütülmesi: Yapısal, optik ve elektriksel özelliklerinin incelenmesi
The growth of InxGa1-xAs / GaAs multi quantum well structure with mbe technique: The investigation of the structural, optical and electrical properties
BARIŞ KINACI
Yüksek Lisans
Türkçe
2009
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Bölümü
YRD.DOÇ.DR. MEHMET BAHAT
- Sılar metoduyla elde edilen Cd/CdS/n-GaAs/In yapının karakteristiklerinin numune sıcaklığına bağlı olarak incelenmesi
Investigation of characteristics of the Cd/CdS/n-GaAs/In structure depending on sample temperature obtained by Sılar method
ELVAN BUĞUR
Yüksek Lisans
Türkçe
2010
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MUSTAFA SAĞLAM
- Güneş pillerinin cigs soğurucu tabakasının radyasyon karşısındaki davranışı
Behavior of cigs absorber layer of solar cells against to radiation
UTKU CANCİ MATUR
Doktora
Türkçe
2017
Nükleer Mühendislikİstanbul Teknik ÜniversitesiEnerji Bilimi ve Teknolojileri Ana Bilim Dalı
PROF. DR. NİLGÜN BAYDOĞAN
- Simulation and modelling of superlattice infrared photon sensors
Süperörgü kızılötesi foton sensörlerinin simülasyon ve modellenmesi
MUSTAFA CAN ÖZTÜRK
Yüksek Lisans
İngilizce
2023
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. CENGİZ BEŞİKCİ