Geri Dön

NiAu-AlGaN/GaN heteroyapıların elektriksel karakteristiklerinin sıcaklığa bağlı incelenmesi

The investigation of temperature dependence of electrical characteristics of the NiAu-AlGaN/GaN heterostructures

  1. Tez No: 301863
  2. Yazar: SELÇUK DEMİREZEN
  3. Danışmanlar: DOÇ. DR. ŞEMSETTİN ALTINDAL
  4. Tez Türü: Doktora
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2010
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Gazi Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 107

Özet

(Ni/Au)/Al0.22Ga0.78N/AlN/GaN heteroyapıların (çokluyapıların) akım-voltaj (I-V), kapasitans-voltaj (C-V), kondüktans-voltaj (G/w-V) karakteristikleri, 80-400 K sıcaklık aralığında ölçüldü. Termiyonik emisyon (TE) teorisine göre; I-V karakteristiklerinden elde edilen sıfır beslem engel yüksekliğinin (?Bo) artan sıcaklıkla artarken idealite faktörünün (n) artan sıcaklıkla azaldığı gözlendi. Ayrıca Richardson grafiğinin 80 - 200 K ve 240 - 400 K sıcaklık aralığında iki farklı eğime sahip olduğu gözlendi. Bu şekildeki davranış, Schottky engel homojensizliğine atfedildi ve engel homojensizliğinin çift Gaussian dağılımı ile açıklandı. Sonuç olarak, (Ni/Au)/Al0.22Ga0.78N/AlN/GaN çokluyapıların doğru beslem I-V karakteristiklerinin sıcaklığa bağlılığı, engel yüksekliklerinin TE mekanizması temelinde çift Gaussian dağılımı ile başarılı bir şekilde açıklanabileceği görüldü. Ayrıca (Ni/Au)/Al0.22Ga0.78N/AlN/GaN çokluyapıların doğru ve ters beslem C-V ve G/w-V karakteristiklerinden, seri direnç (Rs) ve arayüzey durum yoğunluğu (Nss) dikkate alınarak 80 - 400 K sıcaklık aralığında 1 MHz için incelendi. C-V ve G/w-V sonuçlarından, Nss ve Rs değerlerinin çokluyapının elektriksel özellikleri üzerinde oldukça etkili olduğu gözlendi. Doğru ve ters beslemde ölçülen yüksek frekans (1 MHz) C ve G/w değerleri, gerçek Cc ve Gc/ ? değerlerini elde etmek için seri direnç etkisi dikkate alınarak düzeltildi. AC elektriksel iletkenliğin ( ? ac) ise sıcaklıkla azalmakta olduğu gözlendi. Doğru öngerilimdeki farklı gerilimler için Arrhenius eğrilerinin eğiminden aktivasyon enerjileri hesaplandı. Hesaplanan değerlerin gerilimden bağımsız olduğu gözlendi.

Özet (Çeviri)

The current-voltage (I-V), capacitance-voltage (C-V) and conductance-voltage (G/w-V) characteristics of (Ni/Au)/Al0.22Ga0.78N/AlN/GaN heterostructures were measured in the temperature range of 80-400 K. Calculated from I-V characteristics according to thermionic emission (TE) theory; while the zero bias barrier height (?Bo) increases with increasing temperature, the ideality factor (n) values decreases with increasing temperature. The Richardson plot deviated from linearity under room temperatures. Such behavior is attributed to inhomogeneties of Schottky barrier by assuming a double Gaussian distribution. It has been concluded that the temperature dependence of the forward I-V characteristics of the (Ni/Au)/Al0.22Ga0.78N/AlN/GaN heterostructures can be successfully explained on the basis of TE mechanism with double Gaussian distribution of the barrier heights. Also, the forward and reverse bias C-V and G/w-V characteristics of (Ni/Au)/Al0.22Ga0.78N/AlN/GaN heterostructures have been investigated by considering the effect of the series resistance (Rs) and surface states (Nss) over a wide temperature of 80-400 K, at 1 MHz. The C-V and G/w-V characteristics confirm that the Nss and Rs of the heterostructure are important parameters that strongly influence the electrical parameters. The high frequency (1 MHz) C and G/w values measured under both reverse and forward bias were corrected for the effect of series resistance to obtain the real heterostructure capacitance. Also the electrical conductivity ( ? ac) is found to decrease with increasing temperature. The activation energy values were obtained from Arrhenius plot for various applied forward bias voltages. Calculated values are almost independent from applied forward bias voltage.

Benzer Tezler

  1. Comparison of alloyed and non-alloyed ohmic contacts in GaN/algan HEMT for Ka band radar applications

    Ka bant radar uygulamaları için GaN / algan HEMT yapılarında alaşımlı ve alaşımsız ohmik kontakların karşılaştırılması

    HÜSEYİN ÇAKMAK

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2020

    Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Mikro ve Nanoteknoloji Ana Bilim Dalı

    DR. ÖĞR. ÜYESİ MUHSİNE BİLGE İMER

    DOÇ. DR. ALPAN BEK

  2. Farklı aşındırma parametreleri ile oluşturulan kapı elektrodu'nun GaN temelli yüksek elektron devingenlikli transistör aygıtları üzerindeki etkisi

    The effect of gate electrode on GaN hemt devices fabricatedwith di̇fferent etching parameters

    İRFAN ALP GEZGİN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2022

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAnkara Üniversitesi

    Fizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. AYHAN ELMALI

  3. Ni-Au alaşımlarına paladyum katkısının termodinamik ve mekanik özelliklere etkisinin moleküler dinamik incelenmesi

    Molecular dynamics investigations of the thermodynamical and mechanical effects of palladium addition into Ni-Au alloys

    HASAN KARAGÖZ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2010

    Fizik ve Fizik MühendisliğiSakarya Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. ALİ ÇORUH

  4. (Ni/Au)/Al0. 22Ga0. 78N/AlN/GaN çoklu-yapıların elektriksel karakteristiklerinin admitans spektroskopi metoduyla incelenmesi

    The investigation of electrical properties of Ni/Au)/Al0.22Ga0.78N/AlN/GaN hetero-structures by using admittance spectroscopy method

    YASEMİN ŞAFAK ASAR

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2012

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ŞEMSETTİN ALTINDAL

  5. Gut hastalığının tedavisi için yeni bir yaklaşım: Ürikaz bağlı nanomakineler

    A new approach for the treatment of gut disease: Uricase attached nanomachines

    ULVİYE KİLİMCİ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2021

    BiyokimyaAydın Adnan Menderes Üniversitesi

    Kimya Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. DENİZ AKTAŞ UYGUN