NiAu-AlGaN/GaN heteroyapıların elektriksel karakteristiklerinin sıcaklığa bağlı incelenmesi
The investigation of temperature dependence of electrical characteristics of the NiAu-AlGaN/GaN heterostructures
- Tez No: 301863
- Danışmanlar: DOÇ. DR. ŞEMSETTİN ALTINDAL
- Tez Türü: Doktora
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Akım-potansiyel karakterstikleri, Current-potential characteristics
- Yıl: 2010
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
(Ni/Au)/Al0.22Ga0.78N/AlN/GaN heteroyapıların (çokluyapıların) akım-voltaj (I-V), kapasitans-voltaj (C-V), kondüktans-voltaj (G/w-V) karakteristikleri, 80-400 K sıcaklık aralığında ölçüldü. Termiyonik emisyon (TE) teorisine göre; I-V karakteristiklerinden elde edilen sıfır beslem engel yüksekliğinin (?Bo) artan sıcaklıkla artarken idealite faktörünün (n) artan sıcaklıkla azaldığı gözlendi. Ayrıca Richardson grafiğinin 80 - 200 K ve 240 - 400 K sıcaklık aralığında iki farklı eğime sahip olduğu gözlendi. Bu şekildeki davranış, Schottky engel homojensizliğine atfedildi ve engel homojensizliğinin çift Gaussian dağılımı ile açıklandı. Sonuç olarak, (Ni/Au)/Al0.22Ga0.78N/AlN/GaN çokluyapıların doğru beslem I-V karakteristiklerinin sıcaklığa bağlılığı, engel yüksekliklerinin TE mekanizması temelinde çift Gaussian dağılımı ile başarılı bir şekilde açıklanabileceği görüldü. Ayrıca (Ni/Au)/Al0.22Ga0.78N/AlN/GaN çokluyapıların doğru ve ters beslem C-V ve G/w-V karakteristiklerinden, seri direnç (Rs) ve arayüzey durum yoğunluğu (Nss) dikkate alınarak 80 - 400 K sıcaklık aralığında 1 MHz için incelendi. C-V ve G/w-V sonuçlarından, Nss ve Rs değerlerinin çokluyapının elektriksel özellikleri üzerinde oldukça etkili olduğu gözlendi. Doğru ve ters beslemde ölçülen yüksek frekans (1 MHz) C ve G/w değerleri, gerçek Cc ve Gc/ ? değerlerini elde etmek için seri direnç etkisi dikkate alınarak düzeltildi. AC elektriksel iletkenliğin ( ? ac) ise sıcaklıkla azalmakta olduğu gözlendi. Doğru öngerilimdeki farklı gerilimler için Arrhenius eğrilerinin eğiminden aktivasyon enerjileri hesaplandı. Hesaplanan değerlerin gerilimden bağımsız olduğu gözlendi.
Özet (Çeviri)
The current-voltage (I-V), capacitance-voltage (C-V) and conductance-voltage (G/w-V) characteristics of (Ni/Au)/Al0.22Ga0.78N/AlN/GaN heterostructures were measured in the temperature range of 80-400 K. Calculated from I-V characteristics according to thermionic emission (TE) theory; while the zero bias barrier height (?Bo) increases with increasing temperature, the ideality factor (n) values decreases with increasing temperature. The Richardson plot deviated from linearity under room temperatures. Such behavior is attributed to inhomogeneties of Schottky barrier by assuming a double Gaussian distribution. It has been concluded that the temperature dependence of the forward I-V characteristics of the (Ni/Au)/Al0.22Ga0.78N/AlN/GaN heterostructures can be successfully explained on the basis of TE mechanism with double Gaussian distribution of the barrier heights. Also, the forward and reverse bias C-V and G/w-V characteristics of (Ni/Au)/Al0.22Ga0.78N/AlN/GaN heterostructures have been investigated by considering the effect of the series resistance (Rs) and surface states (Nss) over a wide temperature of 80-400 K, at 1 MHz. The C-V and G/w-V characteristics confirm that the Nss and Rs of the heterostructure are important parameters that strongly influence the electrical parameters. The high frequency (1 MHz) C and G/w values measured under both reverse and forward bias were corrected for the effect of series resistance to obtain the real heterostructure capacitance. Also the electrical conductivity ( ? ac) is found to decrease with increasing temperature. The activation energy values were obtained from Arrhenius plot for various applied forward bias voltages. Calculated values are almost independent from applied forward bias voltage.
Benzer Tezler
- Farklı aşındırma parametreleri ile oluşturulan kapı elektrodu'nun GaN temelli yüksek elektron devingenlikli transistör aygıtları üzerindeki etkisi
The effect of gate electrode on GaN hemt devices fabricatedwith di̇fferent etching parameters
İRFAN ALP GEZGİN
- Comparison of alloyed and non-alloyed ohmic contacts in GaN/algan HEMT for Ka band radar applications
Ka bant radar uygulamaları için GaN / algan HEMT yapılarında alaşımlı ve alaşımsız ohmik kontakların karşılaştırılması
HÜSEYİN ÇAKMAK
Doktora
İngilizce
2020
Orta Doğu Teknik ÜniversitesiMikro ve Nanoteknoloji Ana Bilim Dalı (disiplinlerarası)
Yükleniyor...
- Erken Hristiyan ve ilk Bizans resim ve kabartma sanatında kaynak ve okullar (2 cilt)
Sources and school of painting and sculpture during the early Christian and first Byzantine period
AHMET MEHMET KİPMEN
- Küre masif zengin cevherde baz, değerli, nadir metallerin dağılımları ve kazanılması
Distribution of base, rare and precious metals and their recovery in Küre massive ore
SEVİL YALÇIN
- Genesis of polymetallic (Pb-Zn-Cu±Ag±Au) mineralization at Yayladali and its environs (Manisa), Turkey
Manisa Yayladalı (Pb-Zn-Cu±Ag±Au) polimetalik cevherleşmesinin jenezi
KABIRU MOHAMMED
Yüksek Lisans
İngilizce
2017
İstanbul Teknik ÜniversitesiJeoloji Mühendisliği Ana Bilim Dalı
Yükleniyor...
