Ti/n-GaAs schottky engel diyotlarının sıcaklığa bağlı akım-gerilim (I-V-T) karakteristiklerinin incelenmesi
Investigation of the temperature-dependent current-voltage characteristics of the Ti/n-GaAs schottky barrier diodes
- Tez No: 306791
- Danışmanlar: PROF. DR. ENİSE AYYILDIZ
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2012
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Erciyes Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 100
Özet
Bu çalışmada Ti/n-GaAs Schottky engel diyotlar, 2.5x1017 cm-3 taşıyıcı konsantrasyonlu, (100) yönelimli, Te katkılı n-tipi GaAs altlıklar kullanılarak üretilmiştir. Omik ve Schottky kontaklar oluşturulmadan önce n-GaAs altlık kimyasal olarak temizlenmiştir. Yüzey temizleme işleminden hemen sonra, Au-Ge (%88-% 12) alaşımı kullanılarak termal buharlaştırma yöntemi ile altlık üzerine biriktirilmiş ve daha sonra yüksek saflıktaki N2 ortamında 450 °C sıcaklığında 2 dakika tavlama işlemine maruz bırakılarak omik kontak yapılmıştır. Schottky kontaklar ise yüksek saflıkta Ti metali kullanılarak n-GaAs altlığın parlatılmış yüzeyi üzerine saçtırma yöntemi ile yapılmıştır.Ti/n-GaAs Schottky engel diyotlarının sıcaklık bağımlılığı 160 K - 350 K aralığında incelenmiştir. Diyotların doğru beslem akım-gerilim karakteristikleri standart termiyonik emisyon teorisine göre analiz edilmiştir. Sıcaklığın artmasıyla engel yüksekliği artarken idealite faktörünün azaldığı bulunmuştur. Düşük sıcaklık bölgesinde, engel yüksekliği ve idealite faktörü değerlerinin değişiminin yüksek sıcaklık bölgesindeki değişimlerden daha hızlı olduğu belirlenmiştir.Engel yüksekliği ve idealite faktörünün sıcaklık bağımlılığının eşit aralıklarla değişen sıcaklıklarda yapılan ölçümlerde farklılık gösterdiği bulunmuştur. Karakteristik parametrelerin bazı değişim aralıklarında sıcaklığın kuvvetli bir fonksiyonu iken diğer bazı değişim aralıklarında ise sıcaklığın zayıf bir fonksiyonu olduğu belirlenmiştir. Deneysel olarak gözlenen bu iki farklı davranış engel yüksekliği homojensizlikleri modeli dikkate alınarak değerlendirilmiştir.
Özet (Çeviri)
In this work, Ti/n-GaAs Schottky barrier diodes have been fabricated on Te doped n-type GaAs substrate with (100) orientation having carrier concentration of 2.5x1017cm-3. Before making Ohmic and Schottky contacts, the crystal substrate has been chemically cleaned. Immediately after surface cleaning process, Au-Ge (%88-% 12 by weight) alloy has been thermally evaporated as Ohmic contact which was then annealed at 450 °C for 2 min in N2 atmosphere. Schottky contacts of 1 mm diameter have been deposited on the polished side of the GaAs substrate by sputtering Ti target.The temperature dependence of current-voltage (I-V) characteristics of the Ti/n-GaAs Schottky barrier diodes have been measured in the temperature range of 160 K - 350 K. The forward I-V characteristics are analyzed on the basis of the standard thermionic emission (TE) theory. It has been shown that the ideality factor decreases while the barrier height increases with increasing temperatures. The variation of the barrier height and ideality factor values in low temperature region is faster than that of one in the high temperature region.Temperature dependence of the barrier height and ideality factor was found to be different in the measurements in the equal temperature intervals. While the barrier height and ideality factor were a strong function of temperature in the some interval of change, they were a slight function of temperature in the some interval of change. These two different behaviors have been evaluated within the framework of effects of the barrier height inhomogeneities model.
Benzer Tezler
- Atomik katman kaplama tekniği ile sentezlenen nano-ölçekli AL2O3 ara katmanlı, yarıiletken malzeme temelli schottky diyotların sıcaklığa bağlı elektriksel karakterizasyonu
Temperature dependent electrical characterization of schottky diodes with nanoscale AL2O3 interfacial layers synthesized via atomic layer deposition technique
ABDULKERİM KARABULUT
Doktora
Türkçe
2014
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ABDULMECİT TÜRÜT
YRD. DOÇ. DR. NECMİ BIYIKLI
- Arayüzeyleri farklı kalınlıklarda imal edilmiş Au/Ti/Al2O3/n-GaAs/In Schottky diyotların dielektriksel özelliklerinin ve ac elektriksel iletkenliklerinin frekansa ve sıcaklığa bağlılıkları
The frequency and temperature dependence of the dielectric properties and the ac electrical conductivity of the Au/Ti/Al2O3/n-GaAs/In Schottky diodes are manufactured from interfaces in different thicknesses
ÇİĞDEM ŞÜKRİYE GÜÇLÜ
Doktora
Türkçe
2018
Fizik ve Fizik MühendisliğiSüleyman Demirel ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. AHMET FARUK ÖZDEMİR
- Ti/n-GaAs/In metal/yarıiletken/metal kontakların numune sıcaklığına bağlı akım-voltaj ve kapasite-voltaj karakteristiklerinin incelenmesi
Analyzes of temperature dependent I-V and C-V properties of Ti/n-GaAs/In metal/semiconductor/metal contacts
FATMA URHAN
Yüksek Lisans
Türkçe
2013
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ÇİĞDEM NUHOĞLU
- Schottky metal kalınlığına bağlı olarak hazırlanan Ti/n-GaAs Schottky kontakların Sıcaklık bağımlı karakteristiklerinin belirlenmesi
Determination of temperature-dependent characteristics of Schottky metal-thickness Ti/n-GaAs Schottky contacts
TUNA GÖKSU
Doktora
Türkçe
2013
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiSüleyman Demirel ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. AHMET FARUK ÖZDEMİR
- Long wavelength GaAs based hot electron photoemission detectors
GaAs temelli uzun dalgaboylarında çalışan sıcak elektron fotoemisyon detektörü
İBRAHİM KİMUKİN
Yüksek Lisans
İngilizce
1999
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. EKMEL ÖZBAY