Au/Si3N4/n-Si (MIS) yapıların akım-voltaj (I-V) karakteristiklerinin incelenmesi
An investigation into current- voltage (I-V) characteristics of Au/Si3N4/n-Si (MIS)structures
- Tez No: 322975
- Danışmanlar: DOÇ. DR. ADEM TATAROĞLU
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2012
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 80
Özet
Au/Si3N4/n-Si (MIS) YAPILARIN AKIM-VOLTAJ (I-V) KARAKTERİSTİKLERİNİN İNCELENMESİ(Yüksek Lisans Tezi)Fatma Zehra PÜRGAZİ ÜNİVERSİTESİFEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜOcak 2012ÖZETBu çalışmada 160-400 ºK sıcaklık aralığında Au/Si3N4/n-Si (MIS) Schottky diyotunun akım-voltaj (I-V) karakteristiklerini araştırıldı. Termiyonik emisyon (TE) teorisi kullanılarak, doğru beslem I-V karakteristikleri MIS Schottky diyot parametrelerinin elde etmek için analiz edildi. TE mekanizmasına dayalı olarak yarı-logaritmik lnI-V karakteristikleri, sıcaklık artışıyla birlikte idealite faktöründe (n) bir düşüş ve sıfır beslem engel yüksekliğinde (?Bo) bir artış gösterdi. n'nin ve ?Bo'ın değerleri sırasıyla 9,50 ve 0,34 eV `den (160 ºK'da) 3,43 ve 0,74 eV'ye (400 ºK'de) değişti. Arayüzey durumlarının enerji dağılımının sıcaklığa bağlılığı (Nss) beslem bağımlılığı efektif engel yüksekliği (?e) hesaba katılarak doğru beslem I-V ölçümleri elde edildi. Ayrıca, ? Bo-q/2kT grafiğinden ortalama engel yüksekliği ( Bo) ve standart sapma ( ?? ) değerleri sırasıyla 0,999 eV ve 0,137 V olarak elde edildi. Böylece, modifiye edilen [ln(Io/T2)-q2 ? o2/2k2T2]-q/kT grafiğinden ve Richardson sabiti (A*) değerleri sırasıyla, 0,992 eV ve 108,228 Acm-2K-2 olarak elde edildi.
Özet (Çeviri)
In the present work, we investigated the current-voltage (I-V) characteristics of Au/Si3N4/n-Si (MIS) Schottky diode in the temperature range of 160-400 K. By using the thermionic emission (TE) theory, the forward bias I-V characteristics were analyzed to estimate the MIS Schottky diode parameters. The semi-logarithmic lnI-V characteristics based on the TE mechanism showed a decrease in the ideality factor (n) and an increase in the zero-bias barrier height (?Bo) with an increasing temperature. The values of n and ?Bo were changed from 9,50 and 0,34 eV (at 160 K) to 3,43 and 0,74 eV (at 400 K), respectively. Furthermore, the temperature dependence of energy distribution of interface states (Nss) was obtained from the forward bias I-V measurements by taking the bias dependence effective barrier height into account. Also, from ? Bo versus q/2kT plot was obtained the values of the mean barrier height and standard deviation at zero bias as 0,999 eV and 0,137 V for, respectively, Thus, from the modified [ln(Io/T2)-q2 ? o2/2k2T2] versus q/kT plot was obtained the values of and A* as 0,992 eV and 108,228 Acm-2K-2, respectively.
Benzer Tezler
- Au/Si3N4/n-Si (MIS) yapıların kapasitans-voltaj (C-V) ve iletkenlik-voltaj (G/w-V) karakteristiklerinin incelenmesi
The investigation of capacitance-voltage (C-V) and conductivity-voltage (G/w-V) characteristics of Au/Si3N4/n-Si (MIS) structures
ŞENAY SEZGİN
Yüksek Lisans
Türkçe
2011
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ADEM TATAROĞLU
- Au/Si3N4/n-Si (MIS) yapıların dielektrik özelliklerinin incelenmesi
The investigation of dielectric properties of Au/Si3N4/n-Si structures
TUĞÇE ATASEVEN
Yüksek Lisans
Türkçe
2011
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ADEM TATAROĞLU
- Silisyum nitrat arayüzey yalıtkan tabakalı MIS yapının elektrik ve dielektrik parametreleri üzerine gama radyasyonunun etkileri
The effects of gama radiation on the electrical and dielectric parameters of MIS structure with silicon nitrate interfacial insulator layer
RAZİYE ERTUĞRUL UYAR
Doktora
Türkçe
2016
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ADEM TATAROĞLU
- Au/Si3N4/4H n-SiC (MYY) yapıların akım iletim mekanizması ve elektriksel özelliklerinin sıcaklığa bağlı incelenmesi
The investigation of temperature dependence current-conduction mechanism and electrical characteristics of Au/Si3N4/4H n-SiC (MIS) stuctures
FATİH YİĞİTEROL
Yüksek Lisans
Türkçe
2019
Fizik ve Fizik MühendisliğiHitit ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. DİLBER ESRA YILDIZ
- Au/Si3N4/p-GaAs (MOS) kondansatörün dielektrik özelliklerinin incelenmesi
Investigation of dielectric properties of Au/Si3N4/p-GaAs (MOS) capacitor
SEMA YILMAZ
Yüksek Lisans
Türkçe
2019
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ADEM TATAROĞLU