Geri Dön

Farklı oranlarda hazırlanan Au-Cu ve Ag-Cu alaşımlarıyla üretilen schottky diyotların elektriksel karakteristiklerinin termal tavlamaya bağlı incelenmesi

Analysing of electrical characteristics of schottky diodes produced by Au-Cu and Ag-Cu alloys prepared at different ratios depending on termal annealing

  1. Tez No: 392149
  2. Yazar: İMRAN KANMAZ
  3. Danışmanlar: PROF. DR. MUSTAFA SAĞLAM
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2015
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Atatürk Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Katıhal Fiziği Bilim Dalı
  13. Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.

Özet

Bu çalışmada, taban malzeme olarak [100] doğrultusunda büyütülmüş, 450 μm kalınlığa ve 2,5x1017 cm-3 donor konsantrasyonuna sahip n-tipi GaAs kristali kullanıldı. Kristalin mat yüzeyine indiyum metali buharlaştırılarak omik kontak yapıldı. Diğer yüzeyine ise laboratuvarda farklı oranlarda hazırlanan Au-Cu ve Ag-Cu alaşımları 10-5 torr basınçta buharlaştırılarak Au-Cu/n-GaAs/In ve Ag-Cu/n-GaAs/In Schottky yapıları elde edildi. İlk olarak bu iki yapının oda sıcaklığında ve karanlıkta I-V (akım-voltaj) karakteristikleri incelendi. Termal tavlamanın etkisini görmek amacıyla Au-Cu/n-GaAs/In ve Ag-Cu/n-GaAs/In Schottky yapıları azot gazı ortamında sırasıyla 100, 200 ve 300°C'de 5 dakika süreyle tavlandı ve her tavlama işleminin ardından I-V ölçümleri oda sıcaklığında tekrarlandı. Schottky yapılarının değişen tavlama sıcaklığına bağlı olarak doğru beslem I-V karakteristiklerinden idealite faktörleri, engel yükseklikleri, seri direnç değerleri ve doğrultma oranları Termoiyonik emisyon, Cheung ve Norde metodları ile hesaplanmıştır ve hesaplanan değerlerin üç farklı yöntemde de birbiriyle uyum içinde olduğu görülmüştür.

Özet (Çeviri)

In this study, n-GaAs wafer with [100] orientation 450 μm thickness and 2,5x1017 cm-3 with a doping density was used. Omic contact was performed by evaporating In metal on the mat surface of crystal. And to other surface, Au-Cu/n-GaAs/In and Ag-Cu/n-GaAs/In Schottky structures were obtained by evaporating of Au-Cu and Ag-Cu alloys prepared at laboratory at different ratios at 〖10〗^(-5) torr pressure. Firstly, I-V'characteristics of these two structures at room temperature and in dark ambient were researched. With the aim of to see effect of termal annealing, Au-Cu/n-GaAs/In and Ag-Cu/n-GaAs/In Schottky structures were annealed for 5 minutes at 100, 200 and 300℃ at nitrogen medium, respectively and after every annealing process, I-V measurements were repeated at room temperature. Depending on changed annealing temperature, from bias characteristics, ideality factors, barier heights, series resistance values and straightening rates have been calculated by termionic emission, Cheung ant Norde methods and it has been seen that calculated values were in harmony at three different methods.

Benzer Tezler

  1. Bazı esterlerin kinetik incelenmesi ve termodinamik parametrelerin belirlenmesi

    Kinetic study and detesmination of thermodnamic parameters of some esters

    İBRAHİM TAŞ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1986

    Kimya MühendisliğiUludağ Üniversitesi

    Kimya Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MUSTAFA CEBE

  2. Testosteron dihidrotestosteron ve östrojenin benign prostat hiperplazisindeki etyolojik rolleri

    The roles of testosterone, dihydrotestosterone and estradiole on the etiology of benign prostatic hyperplasia

    HALUK TOKUÇOĞLU

    Tıpta Uzmanlık

    Türkçe

    Türkçe

    1986

    ÜrolojiGazi Üniversitesi

    Üroloji Ana Bilim Dalı

  3. Süt formüllerinin tüketim uygulamaları ve süt formüllerinin C vitamini içeriği ile pH değerleri

    Başlık çevirisi yok

    GÖNÜL VAROL

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1986

    Besin Hijyeni ve Teknolojisiİstanbul Üniversitesi

    Çocuk Gelişimi Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. TÜRKAN KUTLUAY