Geri Dön

Aynı şartlar altında ürtetilen özdeş Au/n-Si(100) Schottky diyotlarda karakteristik parametrelerin belirlenmesi

determınatıon of characterıstıc parameters IN Au/n-Si(100) Schottky dıodes ıdentıcally fabrıcated under the same condıtıons

PDF İndir

  1. Tez No: 396992
  2. Yazar: KÜBRA BENGİN AKGÜL
  3. Danışmanlar: DOÇ. DR. HALUK KORALAY, DOÇ. DR. NİHAT TUĞLUOĞLU
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2015
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Gazi Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 111

Özet

Bu tez çalışmasında fosfor katkılı n tipi bir silisyum kristali, 380 μm kalınlıklı, (100) yüzey yönelimli ve 20 Ω-cm özdirençli yarıiletken bir alttabaka olarak kullanıldı. Aynı şartlarda özdeş olarak 50 adet Au/n-Si/Al Schottky diyot hazırlandı ve diyotların akım-gerilim (I-V), kapasite-gerilim (C-V) ve iletkenlik-gerilim (G-V) karakteristikleri oda sıcaklığında ve karanlıkta ölçüldü. Au/n-Si/Al Schottky diyotların doyma akımı (I0), idealite faktörü (n), engel yüksekliği (ΦB) ve seri direnç (Rs) gibi karakteristik parametreleri doğru beslem I-V karakteristiklerinden, Termiyonik Emisyon teorisi kullanılarak belirlendi. Elde edilen n, ΦB ve Rs (Norde metodu) değerleri sırasıyla 1,04-1,69; 0,70-0,81 eV ve 20,9-462,5  aralığında değişmektedir. Ayrıca, ters beslem C-2-V karakteristiklerinden elde edilen engel yükseklik ve taşıyıcı yoğunluk (ND) değerleri sırasıyla 0,772-0,845 eV ve 1,034x1015-1,482x1015 cm-3 aralığındadır. Aynı şartlarda hazırlanmasına rağmen, Au/n-Si/Al Schottky diyotları için elde edilen tüm parametrelerin bir diyottan diğerine değişimi, engel inhomojenliğine atfedildi. Bu yüzden bütün parametreler Gausyen fonksiyonuna fit edilmiştir. Bu fonksiyon yardımıyla 50 adet Schottky diyot için hesaplanan diyot parametrelerinin istatistiksel dağılımları ile ortalama değerleri ve standart sapmaları belirlenmiştir. Engel yüksekliği ve idealite faktörünün ortalama değerlerinin sırasıyla (Φ ̅_B=0,758±0,030 eV) ve ( n ̅=1,316±0,213 ) olduğu bulundu. Diğer taraftan, ters belsem C-2-V karakteristiklerinden elde edilen ortalama engel yüksekliği ve taşıyıcı yoğunluk değerlerinin sırasıyla (Φ ̅_B=0,822±0,005 eV) ve (N ̅_D=1,311x1015±1,083x1014 cm-3) olduğu bulundu. Bundan başka, 50 adet Au/n-Si/Al Schottky diyot için yanal homojen Schottky engel yüksekliği, deneysel olarak idealite faktörleri ve engel yükseklikleri arasındaki lineer ilişkiden 0,802 eV olarak belirlendi.

Özet (Çeviri)

In this thesis, phosphor doped n-type Si single crystal has been used as a semiconductor substrate with a 380 μm thickness, (100) surface oriention, and 20 Ω-cm resistivity. 50 dots Au/n-Si/Al Schottky diodes have been identically prepared in the same conditions and their current-voltage (I-V), capacitance-voltage (C-V) and conductance-voltage (G-V) characteristics were measured at room temperature and in the dark. The characteristic parameters such as saturation current (I0), ideality factor (n), barrier height (ΦB) and series resistance (Rs) of the Au/n-Si/Al Schottky diodes were determined from the forward bias I-V characteristics by using thermionic emission theory. The obtained values of n, ΦB and Rs (Norde method) were changed in the ranges of 1,04-1,69; 0,70-0,81 eV and 20,9-462,5 , respectively. Also, the barrier height (ΦB) and carrier concentration (ND) values obtained from the reverse bias C-2-V characteristics ranged from 0,772-0,845 eV and 1,034x1015-1,482x1015 cm-3, respectively. The fact that all of the parameters for the Au/n-Si/Al Schottky diodes differ from one diode to another even if they are identically prepared were attributed to the barrier height inhomogeneity. For this reason all parameters have been fitted to Gaussian function. With the aid of this function the mean values and standart deviation of calculated diode parameters have been obtained with statistical dispersion for 50 dots Schottky diodes. The means of barrier height and ideality factor values have been found to be ( Φ ̅_B=0,758±0,030 eV) ve ( n ̅=1,316±0,213 ), respectively. Furthermore, the means of barrier height and carrier concentration values obtained from the reverse bias C-2-V characteristics have been found to be ( Φ ̅_B=0,822±0,005 eV) and ( N ̅_D=1,311x1015±1,083x1014 cm-3), respectively. Moreover, the lateral homogenous Schottky barrier height value for 50 dots of the Au/n-Si/Al Schottky diodes is determined as 0,802 eV from the experimental linear relationship between barrier heights and ideality factors.

Benzer Tezler

  1. Tez No

    560027

    Çeşitli minerallerin topaklanma ve yüzey morfolojilerinin flotasyon verimlerine etkisi

    The effect ofagglomeration and surface morphology of various minerals on their flotation recoveries

    BERİVAN TUNÇ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2019

    Maden Mühendisliği ve Madencilikİstanbul Teknik Üniversitesi

    Cevher Hazırlama Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MEHMET SABRİ ÇELİK

  2. Tez No

    293878

    Comparative evaluation of microbial diversity and pha storage ability of activated sludge under different operating conditions

    Aktif çamurun pha depolama yeteneğinin ve mikrobiyal çeşitliliğinin farklı işletme koşulları altında karşılaştırmalı olarak değerlendirilmesi

    BERTAN BAŞAK

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2010

    Çevre Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Çevre Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ORHAN İNCE

  3. Tez No

    423869

    An experimental study on the properties of lightweight concrete with cold bolded fly ash aggregate in correlation with normal aggregate concrete

    Soğuk bağlama ile üretilen uçucu kül agregası içeren hafif beton ile normal betonun karşılaştırılması üzerine deneysel bir çalışma

    OLABODE ADEKUNLE AYODELE

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2016

    İnşaat MühendisliğiGaziantep Üniversitesi

    İnşaat Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. MEHMET GESOĞLU

  4. Tez No

    78157

    Okaliptus (E.camaldulensis) odunundan üretilen kontrplakların bazı teknolojik özellikleri üzerine tomruk buharlama süresinin etkisi

    The effects of log steaming time on some technological properties of plywood from okaliptüs (E. camaldulensis)

    ADALET ŞAHİN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1998

    Ormancılık ve Orman MühendisliğiKaradeniz Teknik Üniversitesi

    Orman Endüstri Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. GÜRSEL ÇOLAKOĞLU

  5. Tez No

    744813

    Yüksek frekans kaynağı ile üretilen çelikborulara ısıl işlem uygulamalarının etkileri

    Manufactured by high frequency weldingeffects of heat treatment applications on steel pipes

    RAHMİ HIDIR

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2022

    Makine MühendisliğiDüzce Üniversitesi

    Makine Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ALİ GÜRSEL

Geri Dön