Geri Dön

Au/C20H12/n -Si Schottky engel diyotların (SBDs) elektriksel karakteristiklerinin sıcaklığa bağlı incelenmesı

Investigation of temperature dependent electrical characteristics of the Au/C20H12/n -Si schottky barrier diodes (SDSs)

PDF İndir

  1. Tez No: 397009
  2. Yazar: KANİ MORAKİ
  3. Danışmanlar: PROF. DR. MEHMET MAHİR BÜLBÜL
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2015
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Gazi Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 74

Özet

Bu çalışmada, Au/C20H12/n-Si Schottky engel diyotları (SBDs) hazırlandı ve onların ters doyum gerilimi (Io), idealite faktörü (n), sıfır beslem engel yüksekliği (ΦB0), seri ve kısa-devre dirençleri (Rs, Rsh) gibi temel elektriksel parametreleri, doğru ve ters öngerilim akım-voltaj-sıcaklık (I-V-T) karakteristikleri kullanılarak belirlendi. Io, n, ΦBo, Rs ve Rsh değerleri 160 K için sırasıyla 1.974x10-7 A, 6.434, 0.351 eV, 30.22  ve 18.96 k at ve 380 K için ise 1.061x10-6A, 2.34, 0.836 eV, 5.82  ve 24.52 k bulundu. Deneysel sonuçlar n değerinin artan sıcaklıkla azalırken ΦBo değerinin ise artmakta olduğunu gösterdi. ΦBo değerinin sıcaklıkla değişimi, yarıiletken yasak enerji aralığının negatif sıcaklık değişim katsayına aykırıdır. Bu yüzden, Gaussian dağılıma bir delil teşkil etmek amacıyla ΦBo - n, ΦBo-q/2kT ve (n-1-1)-q/2kT grafikleri çizildi ve bunların bir doğru verdiği gözlendi. Ortalama engel yüksekliği değeri (Φ ̅bo), n=1 için, ΦBo – n grafiğinin kesim noktasından 0.983 eV bulundu. Aynı zamanda, ΦBo-q/2kT grafiğinin eğim ve kesişme noktasından; Φ ̅bo ve standart sapması (s) değerleri sırasıyla 1.123 eV ve 0.151 V bulundu. Böylece modifiye edilmiş Richardson grafiği elde edildi ve bu grafiğin eğim ve kesişme noktasından Φ ̅bo ve Richardson sabiti (A*) değerleri sırasıyla 1.116 eV ve 113.44 A.cm-2K-2 olarak elde edildi. Elde edilen deneysel A* (=113.44 A.cm-2K-2) n-Si için bilinen 112 A.cm-2K-2 değerine çok yakın olduğu görülmektedir. Buna ilaveten, arayüzey durumlarının (Nss) enerjiye bağlı dağılım grafikleri 120, 200, 300 ve400 K sıcaklıkları için; voltaja bağlı etkin engel yüksekliği (e) ve idealite faktörü n(V) değerleri kullanılarak elde edildi. Sonuç olarak, hazırlanan Au/C20H12/n-Si diyotların tüm sıcaklık aralığında akım-iletim mekanizmasının başarıyla termiyonik emisyon (TE) teorisi bazlı Gaussian dağılımlı (GD) engel yükseklikleri ile açıklanabilmektedir.

Özet (Çeviri)

In this study, Au/C20H12/n-Si Schottky barrier diodes (SBDs) were fabricated and their main electrical parameters such as reverse-saturation current (Io), ideality factor (n), zero-bias barrier height (Bo), series and shunt resistances (Rs, Rsh) were determined by using the forward bias current-voltage-temperature (I-V-T) characteristics as 1.974x10-7A, 6.434, 0.351 eV, 30.22  and 18.96 k at 160 K and 1.061x10-6A, 2.34, 0.836 eV, 5.82  and 24.52 k at 380 K, respectively. Experimental results show that the value of n decrease with increasing temperature, but ΦBo increases. The change in ΦBo with temperature is not agreement with negative temperature coefficient of forbidden bad-gap of semiconductor (Si). Thus, ΦBo vs n, ΦBo and (n-1-1) vs q/2kT plots were drawn to obtain an evidence of a Gaussian distribution (GD) of the BHs and all of them have a straight line. The mean value of BH (Φ ̅Bo) was found as 0.983 eV from the intercept of ΦBo vs n plot (for n=1). Also, the value of Φ ̅Bo and standard deviation (s) were found as 1.123 eV and 0.151 V from the slope and intercept of ΦBo vs q/2kT plot. By using the modified Richardson plot, the Φ ̅Bo and Richardson constant (A*) values were obtained as 1.116 eV and 113.44 A.cm-2K-2 from the slope and intercept of this plot, respectively. It is clear that this value of A* (=113.44 A.cm-2K-2) is very close to their theoretical value of 112 A.cm-2K-2 for n-Si. In addition, the energy density distribution profile of surface states (Nss) was obtained from the forward bias I-V data by taking into account the bias dependent of the effective barrier height (e) and ideality factor n(V) for four different temperatures (120, 200, 300, and 400 K). In conclusion, the I-V-T measurements of the Au/C20H12/n-Si SBD in the whole temperature range can be successfully explained on the basis of thermionic emission (TE) theory with GD of the BHs.

Benzer Tezler

  1. Tez No

    82937

    Laser asisted photorefractive correction surgery

    Laser destekli fotorefraktif düzeltim cerrahisi

    BAHAA BOU KHZAM

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    1999

    Tıbbi BiyolojiBoğaziçi Üniversitesi

    Biyomedikal Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. MEHMET ÖZKAN

  2. Tez No

    76972

    Au/n-GaAs schottky diyotların karakteristik parametreleri üzerine hidrostatik basıncın etkisi

    Hydrostatic pressure effect on caracteristic parameter of Au/n-GaAs schottky diodes

    GÜVEN ÇANKAYA

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1998

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. NAZIM UÇAR

  3. Tez No

    788688

    Anonim şirketlerde yetki devri ve yönetim kurulu üyelerinin sorumluluğuna etkisi

    The delegation of authority in joint stock companies and its effect on the liability of the members of board of directors

    FATMA KÜÇÜKTUNCAY

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2023

    Hukukİstanbul Bilgi Üniversitesi

    Hukuk Bilim Dalı

    PROF. DR. GÜL OKUTAN NILSSON

  4. Tez No

    691153

    News impact curve analysis and spillovers during COVID-19 pandemic case studies: Pharmaceutical industry, tech companies (Faang) & airline industry

    Haber etki eğrisi ve yayılma analizleri COVID-19 pandemisi vaka çalışmaları: İlaç endüstrisi, teknoloji şirketleri (Faang) & hava yolu endüstrisi

    GÜLŞAH ALCAN

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2021

    EkonometriYeditepe Üniversitesi

    Finansal İktisat Ana Bilim Dalı

    DR. ÖĞR. ÜYESİ CANER ÖZDURAK

  5. Tez No

    468131

    Metal nanoalaşımların Mgo(001) yüzeyi üzerinde yapısal ve dinamik özelliklerinin simülasyon yöntemiyle incelenmesi

    The investigation of structural and dynamics properties of metal nanoalloys supported on MgO(001) surface with simulation methods

    SONGÜL TARAN

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2017

    Fizik ve Fizik MühendisliğiBülent Ecevit Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. HAYDAR ARSLAN

  6. Tez No

    343500

    Au(III) tayini için polimer esaslı optik sensör geliştirilmesi

    Polymer based optical sensor for determination of Au(III)

    SİBEL KENAN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2014

    KimyaMarmara Üniversitesi

    Kimya Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. ECE KÖK YETİMOĞLU

    ÖĞR. GÖR. SONER ÇUBUK

Geri Dön