CuInTe2 yarıiletken ince filminin; yapısal, elektriksel ve optik özelliklerinin incelenmesi
Investigation of structural, electrical and optical properties of CuInTe2 thin film
- Tez No: 410063
- Danışmanlar: PROF. DR. ORHAN KARABULUT
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2014
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Pamukkale Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 93
Özet
Bu çalışmada I-III-VI yarıiletken sınıfına ait CuInTe2 bileşiği kaynak malzeme olarak kullanılmıştır. Kaynak malzeme 1100 oC sıcaklıkta sentezlendikten sonra termal buharlaştırma yöntemiyle oda sıcaklığında lamel camlar üzerine büyütülerek ince filmler elde edilmiştir. Elde edilen bu ince filmlerin bazıları 200 C ve 400 C sıcaklıklarda tavlanarak tavlama sıcaklığının filmlerin karakteristiğine etkisi araştırılmıştır. Üretilen filmlerin; elektriksel, optik ve yüzeysel özellikleri farklı analiz teknikleri ile incelenmiştir. İnce filmlerin yüzey özellikleri ve elementel analizleri taramalı elektron mikroskobu (SEM) ile incelenmiş, filmlerin enerji-bant yapısını belirlemek için UV-Vis spektrofotometre cihazı ile oda sıcaklıında 190-1100 nm dalga boyu aralığında optik soğurma gerçekleştirilmiştir. Filmlerin elektriksel özelliklerini belirlemek üzere 10-400 K aralığında sıcaklığa bağlı elektriksel iletkenlik ölçümleri ve hall etkisi ölçümleri yapılmıştır. Son olarak filmlerin ışığa karşı duyarlılığını araştırmak üzere ışık şiddetine bağlı fotoiletkenlik ölçümleri 80-350 K sıcaklık aralığında yapılmıştır. Sonuç olarak; tavlama sıcaklığının CuInTe2 filmlerinin yapısal, optik ve elektriksel özellikleri üzerine etkileri tartışılmış ve yorumlanmıştır.
Özet (Çeviri)
In this study, composite of CuInTe2 which belongs to the I-III-VI class semiconductors was used as source material. After the source material had been synthesized at 1100 C, thin film was produced by thermal evaporation and grown onto glass substrates at room temperature. Some of these films were annealed at 200 C and 400 C, effect of annealing temperature on the chacteristic of the films were investigeted. Electrical, optic and surface properties of the films were studied by different analyze techniques. Surface properties and elemental analyzes of the thin films were examined by SEM, optical absorption was carried out in the range of 190-1100 nm wavelength at room temperature by UV-Vis spectrophotometer to define energy-band structure of the films. Temperature dependent conductivity and Hall effect measurements were used to determine electrical properties of the films in the temperature range of 10-400 K. Finally, photoconductivity measurements depend on the light intensity were carried out at the temperature range of 80-350 K to research the sensitivity of the films to light. Consequently, annealing temperature effects on electrical, optical, structural properties of the CuInTe2 were discussed and interpreted.
Benzer Tezler
- Ge katkılı CuInTe2 yarıiletken ince filminin yapısal, elektriksel ve optik özelliklerinin araştırılması
Investigation of structural, electrical and optical properties of Ge doped CuInTe2 thin film
ÇETİN TANRIÖVER
Yüksek Lisans
Türkçe
2021
Fizik ve Fizik MühendisliğiPamukkale ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ORHAN KARABULUT
PROF. DR. KORAY YILMAZ
- ITO cam üzerine büyütülen InSe/rubrene, CIS/rubrene, CIGS/rubrene, InSe/coronene, CIS/coronene, CIGS/coronene heteroeklemlerin yapısal, optik ve elektriksel özelliklerinin belirlenmesi
Determination of the structural, optical and electrical characteristics of InSe/rubrene, CIS/rubrene, CIGS/rubrene, InSe/coronene, CIS/coronene, CIGS/coronene heterojoints growth on ITO glass
FATİH ÜNAL
Doktora
İngilizce
2021
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİnönü ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. TEKİN İZGİ
PROF. DR. BEHZAD BARIŞ
- The effects of post-annealing process on the physical properties of silver-indium-selenium ternary semiconductor thin films deposited by electron beam technique
Üretim sonrası tavlama işleminin elektron demeti tekniğiyle büyütülen gümüş-indiyum-selenyum üçlü yarıiletken ince filmlerin fiziksel özelliklerine etkileri
TAHİR ÇOLAKOĞLU
Doktora
İngilizce
2009
Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MEHMET PARLAK
- Cu(InGa)Se2 (CIGS) ince filmlerin termal buharlaştırma yöntemi ile üretilmesi ve karakterizasyonu
Production and characterization of Cu(InGa)Se2 (CIGS) thin films by thermal evaporation method
CELAL ALP YAVRU
Yüksek Lisans
Türkçe
2018
Fizik ve Fizik MühendisliğiSüleyman Demirel ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. MURAT KALELİ
- In2Se3 yarıiletken materyallerin yeni bir metot olan ko-depozisyon metoduyla sentezi ve karakterizasyonu
Synthesis and characterization of In2Se3 semiconductor materials with a new co-deposition method
SIDDIK DEMİR