Geri Dön

Cu2Sn(S,Se)3 ince filmlerinin üretilmesi ve aygıt özelliklerinin incelenmesi

Production of Cu2Sn(S,Se)3 thin films and investigation of device properties

PDF İndir

  1. Tez No: 679752
  2. Yazar: TUĞBA BAYAZIT
  3. Danışmanlar: PROF. DR. MURAT TOMAKİN
  4. Tez Türü: Doktora
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Yenilenebilir enerji, Renewable energy
  7. Yıl: 2021
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Recep Tayyip Erdoğan Üniversitesi
  10. Enstitü: Lisansüstü Eğitim Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.

Özet

Bu çalışmada üçlü Cu2SnS3 (CTS), Cu2Sn(SSe)3 (CTSSe) ve Cu2SnSe3 (CTSe) ince filmleri iki aşamalı olarak üretildi. İlk aşamada cam altlık üzerinde Cu2Sn öncül katmanı daldırmalı kaplama yöntemi ile oluşturuldu. Daha sonra hızlı tavlama yöntemi kullanılarak 525 °C, 550 °C ve 575 °C'de sülfürleme-selenleme işlemleri gerçekleştirildi. Üretilen filmlerin yapısal, optik ve elektriksel karakterizasyonu yapılarak CT(S,Se) yapılarına sülfürleme-selenleme sıcaklığının etkisi incelendi. Çalışmanın ikinci kısmında, 550 °C sıcaklığında n-Si altlık üzerinde p-CT(S,Se) yarıiletken ince filmleri iki aşamalı olarak üretildi. Üretilen filmlerin yapısal ve optik ölçümlerinin ardından, Al/n-Si/p-CT(S,Se)/Mo heteroeklem yapısı hazırlandı ve elektriksel ölçümleri gerçekleştirildi. XRD ve Raman ölçüm sonuçlarından hem cam hem de n-Si altlık üzerinde üretilen CT(S,Se) ince filmlerinde farklı kristal fazların oluştuğu ancak monoklinik fazın baskın olduğu belirlendi. dV/dln(I)-I grafiğinden elde edilen verilere göre üretilen diyotlardan en yakın ideal diyot değerine sahip numune p-CTSe (n=2,87) olduğu tespit edildi. Selen katkısının CT(S,Se) yapılarındaki seri direnç (Rs) değerini 8,27102 Ω'dan 2,42102 Ω'a azalttığı görüldü. Cam altlık üzerinde üretilen CTS ince filmine ait optik geçirgenlik eğrilerinde iki bant kenarı geçişi görülürken n-Si altlık üzerinde üretilen CTS ince filminde tek bant kenarı geçişi görüldü. Kapasitans-voltaj ölçüm sonuçlarından yapılan hesaplamalar ile elde edilen taşıyıcı yoğunluğu değerlerinin n-Si/p-CTS, n-Si/p-CTSSe, n-Si/p-CTSe yapıları için sırasıyla 2,701018 cm3, 3,501018 cm3 ve 5,501018 cm3 olduğu tespit edildi.

Özet (Çeviri)

In this study, ternary compounds Cu2SnS3 (CTS), Cu2Sn(SSe)3 (CTSSe) and Cu2SnSe3 (CTSe) thin films were prepared by two-stage process. In the first stage, the Cu2Sn precursor layer was deposited on the glass substrate by dip coating method. Then, sulfurization/selenization process of precursors was performed via Rapid Thermal Processing at 525 °C, 550 °C and 575 °C temperatures. Structural, optical and electrical characterizations of synthesized thin films have been performed and the effect of sulfurization/selenization temperature on properties of CT(S,Se) thin films was investigated. For the second part of the study, the p-CT(S,Se) semiconductor thin films reacted at 550 °C were selected for device fabrication due to more promising properties amongst the other samples. Al/n-Si/p-CT(S,Se)/Mo heterojunctions structure was formed and electrical characterizations were performed. X-ray diffraction patterns and Raman spectra of the samples showed that both glass/p-CT(S,Se) and n-Si/P-CT(S,Se) thin films had a monoclinic structure as a dominant phase and additionally some secondary phases were also observed. According to the data obtained from the dV/dln(I)-I graph, it was determined that the sample with the closest ideal diode value among the diodes produced was p-CTSe (n=2.87). It was observed that the selenium contribution reduced the series resistance (Rs) value in CT(S,Se) thin films from 8.27102 Ω to 2.42102 Ω. While two band edge transitions were observed in the CTS thin film produced on glass substrate at 525 °C, a single band edge transition was observed in the CTS thin films produced on n-Si wafer. The carrier concentration values obtained from the capacitance-voltage measurements were found 2.701018 cm3, 3.501018 cm3 ve 5.501018 cm3 for n-Si/p-CTS, n-Si/p-CTSSe, n-Si/p-CTSe structures, respectively.

Benzer Tezler

  1. Tez No

    7420

    Candu tüketilmiş yakıtının gençleştirilmesi için modere edilmiş ve hızlı (D,T) hibrid blanketlerin potansiyelinin incelenmesi

    Başlık çevirisi yok

    HÜSEYİN YAPICI

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    1989

    Makine MühendisliğiErciyes Üniversitesi

    Makine Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. SÜMER ŞAHİN

  2. Tez No

    14197

    Kalkopirit cevherinin bakteriyel özütleme yöntemi ile değerlendirilmesi

    The Evaluation of chalcopyrite ores with using bacterial leaching process

    MOİZ ELNEKAVE

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1990

    Kimya Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    DOÇ.DR. NURAN DEVECİ

  3. Tez No

    25139

    Kalay (II) iyonlarının stabilleştirilmesi

    Başlık çevirisi yok

    HATİCE ÇORBACI

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1992

    Kimya Mühendisliğiİstanbul Üniversitesi

    Kimya Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. İSMET GÜRGEY

  4. Tez No

    46195

    Cas/CdTe'ün iletken üzerine elektrokimyasal olarak depolanması

    Başlık çevirisi yok

    ŞANA KUTUN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1995

    Kimyaİstanbul Teknik Üniversitesi

    Kimya Ana Bilim Dalı

    PROF.DR. FİGEN KADIRGAN

  5. Tez No

    56515

    Synthesis and characterization of some conducting oxides and sulficles

    Bazı iletken oksit ve kükürtlü bileşiklerin sentezlenmesi ve karakterizasyonu

    HALİL GÜLER

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    1996

    KimyaOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Kimya Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MERAL KIZILYALLI

Geri Dön