Metal organik kimyasal buhar biriktirme tekniğiyle p-i-n yapısında büyütülen galyum nitrit esaslı ışık yayan diyotların incelenmesi
Investigation of gallium nitride based light emitting diodes that grown by metal organic chemical vapour deposition technique in pin structure
- Tez No: 688354
- Danışmanlar: PROF. DR. ORHAN ÖZDEMİR
- Tez Türü: Doktora
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2021
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Yıldız Teknik Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Fizik Bilim Dalı
- Sayfa Sayısı: 123
Özet
Bu çalışmada metal-organik kimyasal buhar biriktirme (MOCVD) tekniğiyle büyütülen InxGa1-xN=GaN filmlerden oluşan p-i-n yapıdaki ışık yayan diyotların (LED) içerdiği Indiyum (In) konsantrasyonunun değişimiyle (%10, %20 ve %30) açığa çıkan farklı dalga boylarındaki ışımaların elektriksel, optik ve opto-elektronik karakterizasyonu yapılmıştır. i-tabakasının tek tabaka (SL) ve çoklu kuantum kuyulu (MQW) yapıda olduğu bu diyotların elektrolüminesans (EL), fotolüminesans (PL) ve fotovoltaj/fotoakım (PV/PC) ölçümlerinden elde edilen spektrumların maksimum değer, şiddet, dalgaboyu ve yarı yükseklikteki tam genişlik (FWHM) değerlerinin sıcaklığa bağlı değişimleri incelenip ışıma merkezleri, optik/elektronik geçişler ve aktivasyon enerjileri belirlenmiştir. Doğru akım (DC) ve alternatif akım (AC) uygulanmasıyla yapılan sıcaklığa bağlı akım-gerilim (I-V) ve kapasite-gerilim (C-V) ölçümleriyle de yapıda ortaya çıkan akım iletim mekanizmaları, iletkenlik aktivasyon enerjileri, elektron ve hol mobiliteleri gibi özellikleri tespit edilmiştir.
Özet (Çeviri)
In this study, the electrical, optical and opto-electronic characterization of the radiation of different wavelengths emitted by the change in the concentration of Indium (In) (%10, %20 ve %30) contained in the p-i-n structure LEDs consisting of InGaN films grown by the metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) technique was made. The spectra obtained from the electroluminescence (EL), photoluminescence (PL) and photovoltage / photocurrent (PV/PC) measurements of these diodes, where the i-layer is in a single layer (SL) and multiple quantum well (MQW) structure, radiation centers, optical / electronic transitions and activation energies were determined by examining the temperature-dependent changes of max value, intensity, wavelength and full width half maximum (FWHM) values. Current-voltage (I-V) and capacitance-voltage (C-V) measurements made by applying direct current (DC) and alternating current (AC) have also determined properties such as current transmission mechanisms, conductivity activation energies, electron and hall mobility
Benzer Tezler
- InGaAsP/InP çoklu kuantum kuyulu çatı dalga kılavuzlu lazer diyotların fabrikasyonu ve lazer diyot parametre analizi
The fabrication of InGaAsP/InP multi quantum well ridge waveguide laser diodes and the analysis of lazer diode parameters
AYLİN BENGİ
Doktora
Türkçe
2009
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SÜLEYMAN ÖZÇELİK
- PVD tekniğiyle büyütülen MoO3 yarıiletken ince filmlerin elektriksel ve optik özelliklerinin incelenmesi
MoO3 thin films growth with physical vapour deposition technique and investigation of electrical and optical properties
CANAN YÖNEY
Yüksek Lisans
Türkçe
2019
Fizik ve Fizik MühendisliğiTekirdağ Namık Kemal ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. BEYHAN TATAR
- Metal/GaN kontakların yapımı ve sıcaklığa bağlı elektriksel ölçümler
Fabrication of Metal/GaN contacts and the temperature-dependent electrical measurements
LEYLA ESMER
Yüksek Lisans
Türkçe
2014
Fizik ve Fizik MühendisliğiErciyes ÜniversitesiFizik Bölümü
PROF. DR. ENİSE AYYILDIZ
- Growth and characterization of indium rich indium-gallium-nitride solar cell epitaxial structures by metal organic chemical vapor deposition
İndium oranı yüksek iniıum galyum nitrat güneş pili epitaksiyel yapılarının metal organik kimyasal buhar biriktirme yöntemi ile büyütülmesi ve karakterizasyonu
HÜSEYİN ÇAKMAK
Yüksek Lisans
İngilizce
2012
Bilim ve TeknolojiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiMikro ve Nanoteknoloji Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. HÜSNÜ EMRAH ÜNALAN
PROF. DR. RAŞİT TURAN
- Safir alttaş üzerine MOCVD ile büyütülen mavi LED yapısının elektriksel karakterizasyonu
Electrical characterization of blue LED structure growth by MOCVD on sapphire substrate
DİDEM ALTUN
Doktora
Türkçe
2018
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiCumhuriyet ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SEZAİ ELAGÖZ