Geri Dön

Au/SnO2/n-Si/Au schottky diyotlarda akım-gerilim karakteristikleri üzerine gama radyasyonunun etkisi

Effect of gamma radiation on current-voltage characteristics in Au/SnO2/n-Si/Au schottky diodes

PDF İndir

  1. Tez No: 690943
  2. Yazar: FATİME DUYGU AKGÜL
  3. Danışmanlar: PROF. DR. NİHAT TUĞLUOĞLU
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Enerji, Energy
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2021
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Giresun Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Enerji Sistemleri Mühendisliği Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 65

Özet

Bu tez çalışmasında metal-yarıiletken arasına püskürtme yöntemi ile kalay oksit (SnO2) tabaka büyütülerek bir Au/SnO2/n-Si Schottky yapı elde edildi. Schottky diyot yapının radyasyon öncesi ve sonrasında akım-voltaj (I-V) ölçümleri alındı. Üretilen diyot 10kGy 60Co gama ışınına maruz bırakıldı. Radyasyon öncesi ve sonrası doyma akımı (I0), idealite faktörü (n), engel yükseklği (ΦB) , seri direnç (Rs) ve ara yüzey durum yoğunluğu (NSS) gibi diyot parametreleri termiyonik emisyon teorisi kullanılarak hesaplandı. Hesaplanan parametreler I0, n, ΦB sırasıyla 0 kGy'de 2,33x10-6 A, 3,49, 0,627 eV olarak, 10 kGy' de ise 2,70x10-7A, 2,45 ve 0,683 eV olarak hesaplanmıştır. Radyasyondan sonra idealite faktörünün azalırken engel yüksekliğinin arttığı gözlemlenmiştir. Cheung ve Norde yöntemleri kullanılarak seri direnç hesabı yapılmıştır. Norde yöntemi ile Rs ve ΦB değerleri sırasıyla 0 kGy'de 1,37 kΩ ve 0,641 eV olarak, 10 kGy de; 2,20 kΩ ve 0,686 eV olarak bulunmuştur. Radyasyondan sonra seri direnç değerinin arttığı görülmüştür. Radyasyondan önce ve sonra ara yüzey durum yoğunluğu (NSS), EC-ESS enerji aralığında belirlenmiştir. Işınlama öncesi 0 kGy için bu değerler: EC-0,498 eV'de 4,14x1012 cm-2eV-1'den; EC- 0,606 eV'de 7,56x1011 cm-2eV-1'e azaldığı görülmüştür. Işınlama sonrası 10 kGy'de ise NSS değerleri, EC-0,496 eV'de 2,84x1012 cm-2eV-1'den; EC-0,610 eV'de ise 4,10x1011 cm-2eV-1'e azaldığı görülmüştür.

Özet (Çeviri)

In this thesis, an Au/SnO2/n-Si Schottky structure was obtained by growing the tin oxide (SnO2) layer between metal-semiconductor by sputtering method. The currentvoltage (I-V) measurements of the Schottky diode structure were taken before and after radiation. The produced diode was exposed to 10 kGy 60 Co gamma rays. Diode parameters such as pre- and post-radiation saturation current (I0), ideality factor (n), barrier height (ΦB), series resistance (Rs) and interface state density (NSS) were calculated using thermionic emission theory. The calculated parameters I0, n, ΦB were calculated as 2.33x10-6 A, 3.49, 0.627 eV at 0 kGy, and 2.70x10-7 A, 2.45 and 0.683 eV at 10 kGy, respectively. It was observed that the barrier height increased while the ideality factor decreased after radiation. The series resistance was calculated using the Cheung and Norde methods. By Norde method, Rs and ΦB values were found as 1.37 kΩ and 0.641 eV at 0 kGy, 2.20 kΩ and 0.686 eV at 10 kGy, respectively. It was observed that the series resistance value increased after radiation. The interfacial state density (NSS) before and after radiation was determined in the EC-ESS energy range. These values for 0 kGy before irradiation were observed to decrease from 4.14x1012 cm-2 eV-1 at EC-0.498 eV, to 7.56x1011 cm- 2 eV-1 at EC-0.606 eV after irradiation, NSS values decreased from 2.84x1012 cm-2 eV- 1 at EC-0.496 eV and 4.10x1011 cm-2 eV-1 at EC-0.610 eV at 10 kGy.

Benzer Tezler

  1. Tez No

    268086

    MIS yapıların dielektrik özelliklerinin frekans ve sıcaklığa bağlı incelenmesi

    The investigetion of frequency and temperature dependence of dielectric properties of MIS structures

    HİLAL ERBAŞ ARAL

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2010

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. ADEM TATAROĞLU

  2. Tez No

    133347

    MOS yapılarda kapasitans-voltaj (C-V) ve iletkenlik voltaj (G/W-V) karakteristiklerinin frekans ve radyasyona bağlı incelenmesi

    The investigation of capacitance-voltage (C-V) and conductivity-voltage (G/W-V) characetrsitics depend on frequency and radiation in MOS structure

    MUHARREM GÖKÇEN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2003

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    Y.DOÇ.DR. ŞEMSETTİN ALTINDAL

  3. Tez No

    268862

    Metal-yalıtkan-yarıiletken yapıların elektriksel özelliklerinin frekans ve sıcaklığa bağlı incelenmesi

    The investigetion of frequency and temperature dependence of electrical properties of metal-insulator-semiconductor structures

    FARUK KİRAZOĞLU

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2010

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. ADNAN TATAROĞLU

  4. Tez No

    450667

    MOS kapasitörün elektriksel özellikleri üzerine gama radyasyonun etkileri

    The effects of gamma radiation on the electrical properties of MOS capacitor

    HALİL MERT BARAN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2015

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. ADEM TATAROĞLU

  5. Tez No

    801673

    Development of dopant-free hole transport and passivation materials for high-performance perovskite solar cells

    Yüksek performanslı perovskit güneş hücreleri için dopant gerektirmeyen boşluk geçirgen ve pasivasyon malzemelerinin geliştirilmesi

    FİGEN VARLIOĞLU YAYLALI

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2023

    Polimer Bilim ve TeknolojisiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Polimer Bilim ve Teknolojisi Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. EMRULLAH GÖRKEM GÜNBAŞ

    PROF. DR. HÜSNÜ EMRAH ÜNALAN

Geri Dön