Geri Dön

Debye yaklaşımına göre yarıiletkenlerin termodinamik özelliklerinin hesaplanması ve bazı reel sistemlere uygulanması

Calculation of thermodynamic properties of semiconductors by using debye method and application on some real systems

  1. Tez No: 714241
  2. Yazar: AKİF SEVİNDİK
  3. Danışmanlar: PROF. DR. BAHTİYAR MEHMETOĞLU, DR. ÖĞR. ÜYESİ ELİF SOMUNCU
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Yarıiletkenler, Isı Kapasitesi, Debye Yaklaşımı, Semiconductor, Heat capacity, Debye Approach
  7. Yıl: 2022
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Tokat Gaziosmanpaşa Üniversitesi
  10. Enstitü: Lisansüstü Eğitim Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 47

Özet

Yarıiletkenlerin fiziksel ve kimyasal özelliklerinin doğru ve hassas olarak incelenebilmesi bilimde önemli bir yere sahiptir. Günümüze kadar teorik ve deneysel pek çok yöntem önerilmiştir. Bu teorik yöntemlerden biri de yarıiletkenlerin termodinamik ve taşıma özelliklerinin hesaplanmasında kullanılan Debye yaklaşımıdır. Bu tez çalışmasında Debye yaklaşımında ortaya çıkan n boyutlu Debye fonksiyonları için yakın zamanda literatürde verilen analitik formül kullanılarak n sayısının tam ve kesir sayılı değerlerinde geniş sıcaklık aralıklarında bazı yarıiletkenlerin öz ısı kapasiteleri incelenmiştir. Isı kapasitesi Debye yaklaşımı için önerilen analitik formüle bağlıdır ve bu formül ile istenilen düzeyde doğru ve hassaslıkta sonuçlar elde edilir. Bu çalışmada , ve yarıiletkenlerin öz ısı kapasiteleri Debye yaklaşımına göre hesaplanmıştır. Bu yarıiletkenlerin sıcaklığa göre öz ısı kapasitelerinin değişimi n sayısının kesir sayılı değerlerinde geniş sıcaklık aralığında incelenmiştir. Elde edilen hesaplama sonuçları n sayısının kesir sayılı değerlerinde literatür ile karşılaştırılmıştır ve iyi uyumlu olduğu görülmüştür. Geniş sıcaklık aralıklarında elde edilen hesaplama sonuçları yarıiletkenlerin bilimsel ve teknolojik alanlarda faydalı olacağını göstermektedir.

Özet (Çeviri)

The accurate and sensitive examination of the physical and chemical properties of semiconductors has an important place in science. Many theoretical and experimental methods have been proposed so far. One of these theoretical methods is the Debye approach, which is used to calculate the thermodynamic and transport properties of semiconductors. In this thesis, the specific heat capacities of some semiconductors in wide temperature ranges were investigated using the Debye approach. The heat capacity depends on the analytical formula proposed for the Debye approach and with this formula; the desired accurate and sensitive results are obtained. In this study, the specific heat capacities of , ve and semiconductors were calculated according to the Debye approach. The variation of these semiconductors with respect to temperature was investigated. The calculation results obtained were compared with the literature and were found to be compatible. Calculation results obtained in wide temperature ranges show that semiconductors will be useful in scientific and technological fields

Benzer Tezler

  1. Yarıiletkenlerin sabit hacimde ve basınçta öz ısı kapasitelerinin einstein-debye yaklaşımı kullanılarak incelenmesi

    Analytical investigation of specific heat capacities at constant volume and pressure of semiconductors by using einstein-debye approach

    YÜSRA KOÇAK

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2021

    Fizik ve Fizik MühendisliğiTokat Gaziosmanpaşa Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. BAHTİYAR MEHMETOĞLU

    DOÇ. DR. EBRU ÇOPUROĞLU

  2. vanadiumun ısı kapasitesinin ve entropisinin N boyutlu debye yaklaşımı kullanılarak incelenmesi

    Investigation of heat amount and entropy of vanadium using n-dimensional debye approach

    BÜŞRA ÇOBAN

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2023

    Fizik ve Fizik MühendisliğiTokat Gaziosmanpaşa Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. BAHTİYAR MEHMETOĞLU

  3. Analytical investigation of free energy and entropy of semiconductors by using einstein-debye approach

    Yarı iletkenlerin serbest enerjisi ve entropisinin Einstein-Debye yaklaşımı kullanılarak analitik olarak incelenmesi

    MAJDI MAHDI HUSSEIN

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2023

    Fizik ve Fizik MühendisliğiTokat Gaziosmanpaşa Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. BAHTİYAR MEHMETOĞLU

  4. Güneş pili yapımında kulanılan Si, GaAs, CdTe gibi anorganik yarı iletken malzemelerin ısı kapasitelerinin sıcaklığa göre değişiminin debye yaklaşımına göre incelenmesi

    Investigation of the change of the heat capacities by temperature of anorganic semiconductor materials such Si, GaAs, CdTe used in solar cell construction according to debye approach

    AHMET BULUT

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2022

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGiresun Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. İSKENDER ASKEROĞLU

    DR. ÖĞR. ÜYESİ ELİF SOMUNCU

  5. Kinetik taşınma teorisini kullanarak yarı iletkenlerin bazı özelliklerinin incelenmesi

    Investigation of some properties of semiconductors using kinetic transport theory

    ADEM AKKUŞ

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2021

    Fizik ve Fizik MühendisliğiTokat Gaziosmanpaşa Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. İSKENDER ASKEROĞLU