Yarıiletken elektrotlu iyonizasyon sisteminin karakteristik özellikleri
Başlık çevirisi mevcut değil.
- Tez No: 76312
- Danışmanlar: PROF. DR. KEMAL ÇOLAKOĞLU
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Gaz boşalması, Filamentasyon, Breakdown (Eşik), Yüksek-özdirençli yarıiletken katot, İyonlaşma, Gas discharge, Filamentation, Breakdown, Ionization
- Yıl: 1998
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
YARIİLETKEN ELEKTROTLU IYONIZASYON SİSTEMİN KARAKTERİSTİK ÖZELLİKLERİ (Yüksek Lisans Tezi) Selva (Yavuz) BÜYÜKAKKAŞ GAZİ ÜNİVERSİTESİ FEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜ Haziran 1998 ÖZET Paralel düzlem elektrotlar arasında oluşan de boşalması incelenmiştir. Yüksek dirençli yarıiletken GaAs katotlu sistem geniş bir p (16-760 Torr) gaz basıncı ve d (10um-5mm) elektrotlar arası aralıkta ilk defa çalışılmıştır. Materyalin fotoiletkenliğini kontrol etmek için belirli bir dalga boyu bölgesindeki ışıkla yarıiletken GaAs plakanın arka yüzeyi aydınlatılmıştır. Deneyler kararlı boşalma ışıması bölgesinde yarıiletkenin uzaysal dağılmış direnç gibi kullanılması durumunda akınım düzenli geçtiğim göstermiştir. Gaz boşalma akımındaki kararlılığın kaybolması, esas olarak Townsend boşalmasından Glow boşalmaya geçişte elektrotlar arası aralıktaki pozitif iyonların uzay yüklerini oluşturmasına bağlıdır. Bilim kodu : 404.05.01.
Özet (Çeviri)
CHARACTERISTIC FEATURES OF THE IONIZATION SYSTEM WITH SEMICONDUCTING ELECTRODES (M.Sc. Thesis) Selva (Yavuz) BÜYÜKAKKAŞ GAZİ UNIVERSITY INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY June 1998 ABSTRACT A dc discharge generated between parallel plate electrodes are studied. The gas discharge system with the high-resistivity semiconducting GaAs cathode have been studied in a wide range of the gas pressure p (16-760 Torr) and of inter-electrode distance d (10jim-5mm) for the first time. The cathode was irradiated on the back-side with light in a particular wavelength range that was used to control the photoconductivity of the material. The experiments showed that the presence of the distributed resistance affects the passage of the discharge current so that the discharge glows uniformly throughout the cathode surface. The loss of stability was primarily due to the formation of a space charge of positive ions in the discharge gap which changed the discharge from the Townsend to the Glow type. Science Code :404.05.01.
Benzer Tezler
- Characterization of the modified iomization type semiconductor photographic system
Geliştirilmiş iyonizasyon tipli yarıiletken fotograf sisteminin karakterizasyonu
OKHAN GANİOĞLU
Yüksek Lisans
İngilizce
1997
Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. BÜLENT AKINOĞLU
- Işığa duyarlı yarıiletken gaz boşalma sisteminin fotoelektrik ve spektral özellikleri
Photoelectric and spectral properties of photosensitive semiconductor gas discharge system
SEMA KARAKÖSE
Doktora
Türkçe
2012
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. BAHTİYAR SALAMOV
DOÇ. DR. M.MAHİR BÜLBÜL
- Fotodetektörün fiziksel özelliklerinin incelenmesi için iyonizasyon tipli kızılötesi görüntü çevirici sistemlerin uygulanması
Application of ionization type infrared image converter systems for study of physical properties of photodetector
SADIK ÇETİN
Yüksek Lisans
Türkçe
2010
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. HATİCE HİLAL KURT
- Synthesis, photophysical properties and ofet application of thienothiophene and benzothiadiazole based donor-π-acceptor-π (D-π-A-π) type conjugated polymers
Tiyenotiyofen ve benzotiyadiazol esaslı donör-π-alıcı-π (D-π-A-π) tipi konjuge polimerlerin sentezi, fotofiziksel özellikleri ve ofet uygulaması
SERRA EBRU ÖZTÜRK
Yüksek Lisans
İngilizce
2023
Kimyaİstanbul Teknik ÜniversitesiKimya Ana Bilim Dalı
PROF. DR. TURAN ÖZTÜRK
- Fotovoltaik uygulamalarda kullanılmak üzere elektro-kimyasal biriktirme yöntemi ile üretilen yarıiletken zns ince filmlerin karakterizasyonu
Characterization of semiconductor ZnS thin films produced by electro-chemical deposition method for photovoltaic applications
ESRA ERTÜRK
Yüksek Lisans
Türkçe
2019
EnerjiTekirdağ Namık Kemal ÜniversitesiElektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. HAFIZ ALİSOY