Gözenekli silisyumda He-Ne lazerinin yapısal etkileri
Structural effects of He-Ne laser on porous silicon
- Tez No: 79194
- Danışmanlar: PROF. DR. EMEL ÇINGI
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 1998
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Yıldız Teknik Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 64
Özet
ÖZET Silisyum, yüksek oranda elektronik fonksiyonelliğe ideal bir örnek olarak entegre devrelerin en temel malzemesidir. Ayrıca oda sıcaklığında çalışma için ideal olan 1.12 eV'luk enerji aralığı ve tek bir çip üzerine 108 komponent yerleştirmeyi mümkün kılan Si02 bileşiği ile yarıiletken teknolojisinde ideal bir elementtir. Gözenekli silisyum ince silisyum levhalarının HF bazlı elektrolitte anodizasyonu veya bir HF.HNO3:Distile su karışımında herhangi bir gerilim uygulamadan yüzey aşındırma yöntemi ile elde edilir. Normal silisyumdan en önemli farkı oda sıcaklığında fotoluminesans özellik sergilemesidir. Bu çalışma gözenekli silisyum üzerine yapılan yapısal bir araştırmadır. Bu çalışmada n ve p tipi ince silisyum levhaları üzerinde elektrolizsiz yüzey aşındırma yöntemi ile büyütülen gözenekli silisyum levhalarının yapısal özellikleri infrared spektrumu yardımı ile çalışılmıştır. Deney sırasında bazı örnekler üzerindeki gözenekli silisyum tabaları He-Ne lazeri altında büyütülmüştür. He-Ne lazerinin p-tipi örneklerde etkisi net olarak gözükmemektedir. Ancak He-Ne lazerinin n-tipi örneklerde enerji bantlarım kuvvetlendirdiği gözlenmiştir. Daha sonra bu sonuçların net olarak gözlendiği iki örnek belli sıcaklıklarda tavlanarak,100,200,300,400,450°C), IR spektrumları alınmıştır. Bu spektrumlarda 2300 cm"1 civarında hidrojen ilgili olduğu düşünülen bir bant gözlenmiştir. Yüzeydeki malzemenin artan tavlama sıcaklıklığıyla desorpsiyonu literatürle uyum içindedir.
Özet (Çeviri)
ABSTRACT Silicon, as an high density ideal example for electronic functionality, is the basic material for the integrated circuits. Also with the ideal 1.12 eV bandgap that makes it compatible for operating at room temperature and with the Si02 compound which allows 108 components to be placed on a single chip, is the ideal element for semiconductor technology. Porous silicon can be made of silicon wafers which can be anodized in HF based electrolytes or by the electroless etching in a HF:HN03:Distilled Water solution. The great difference of porous silicon from bulk silicon; it exhibits photoluminescence at room temperature. This study is a structural study that is made on porous silicon. In this study, structural properties of porous silicon layers that is grown on n & p type silicon wafers are studied by the help of Infrared Spectrometer (IR). Some of the porous silicon layers are grown under He-Ne laser. The effect of He-Ne laser can't be observed in p-type wafers clearly. But its been observed that in n-type samples He-Ne laser made the energy bands stronger. Then two of the samples which these effects can be seen clearly are annealed at certain temperatures (1 00,200,300,400,450°C). Then IR spectrums of these samples are investigated. In these spectrums a new band around 2300 cm'1, which is thought to be hydrogen related, is observed. The desorption of the surface species by the increasing annealing temperature is in agreement with the literature.
Benzer Tezler
- Pirinç kabuğu silikasından magnezyum alüminyum-potasyum katkılı silika aerojellerin üretimi, karakterizasyonu, optimizasyonu ve gıda katkı maddesi olarak değerlendirilmesi
Production and characterization magnesium and aluminum-potassium doped silica aerogels from rice husk ash, optimization and evaluation as a food additive
EMİNE YAPICI
Yüksek Lisans
Türkçe
2019
BiyomühendislikYıldız Teknik ÜniversitesiBiyomühendislik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SEVİL YÜCEL
- Mezogözenekli katıların adsorplama özelliklerinin incelenmesi
Assessment of adsorption properties on mesoporous solids
NİHAL TOSUN
- Çeşitli metallerin (Au, Ag, Cu, Pd) ve metal kalınlığının gözenekli silisyum esaslı hidrojen pili parametrelerine etkisi
Effect of various metals (Au, Ag, Cu, Pd) and metal thickness on the porous silicon ?based hydrogen cell parameters
SEVİNÇ YILDIRIM
Yüksek Lisans
Türkçe
2011
Fizik ve Fizik MühendisliğiYıldız Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. ÇİĞDEM ORUÇ LUŞ
- Darbeli anodizasyon tekniği ile gözenekli ve Si ve gözenekli Si tabanlı fabry-perot yapılarının üretimi: Yapısal ve optik özelliklerinin incelenmesi
Fabrication of porous Si and porous Si based fabry-perot structures by pulse anodization technique: Structural and optical characterization
TEVHİT KARACALI
Doktora
Türkçe
2003
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. HASAN EFEOĞLU
- Gözenekli silisyum'da optik olayların incelenmesi
Başlık çevirisi yok
ADEM SOYLAMIŞ
Yüksek Lisans
Türkçe
1997
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF.DR. M. ÇETİN ARIKAN