AlInN HEMT temelli yapıların noktasal yapı kusurlarının incelenmesi
Investigation of strutural point defects of AlInN HEMT based structures
- Tez No: 923566
- Danışmanlar: DOÇ. DR. YUNUS ÖZEN
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2025
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 109
Özet
Bu tez çalışmasında, GaN/AlInN/AlN yüksek elektron hareketine sahip transistör (HEMT) yapı örnekleri“Metal Organik Kimyasal Buhar Biriktirme Yöntemi (MOCVD)”kullanılarak Al2O3 üzerinde büyütüldü. Büyütülen örneklerin yapısal mozik kusurları“Yüksek Çözünürlüklü X-Işını Kırınım (HRXRD)”cihazı ile incelendi. Eğim açısı, yanal ve dikey mozaik kristal boyut, vida ve kenar dislokasyon yoğunlukları In değerine bağlı olarak Wiliamson Hall (WH) metodu kullanılarak saptandı. Değişik In oranlarında kusurlar artan veya azalan eğilimler sergiledi. Büyütülen tabakaların uygun sıcaklıkta uygun büyütme oranına ulaştığı gözlemlendi. Örneklerin yüzey morfolojisi atomik kuvvet mikroskopisi (AFM) yöntemi ile optik karakteristik özellikleri Raman Spektroskobisi ve Fotoluminesans (PL) ölçme tekniği ile gerçekleştirildi. Örnekler için epitaksiyel tabakaların kristal kalitesinin B, A ve C örneğine göre düştüğü görüldü.
Özet (Çeviri)
In this thesis, GaN/AlInN/AlN high electron mobility transistor (HEMT) structure samples were grown on Al2O3 using“Metal Organic Chemical Vapor Deposition Method (MOCVD)”. Structural mosaic defects of the grown samples were examined with“High Resolution X-Ray Diffraction (HRXRD)”device. Inclination angle, lateral and vertical mosaic crystal size, screw and edge dislocation densities were determined using the Wiliamson Hall (WH) method depending on the In value. Defects exhibited increasing or decreasing trends at different In ratios. It was observed that the grown layers reached the appropriate growth ratio at the appropriate temperature. The surface morphology of the samples was carried out by atomic force microscopy (AFM) method and optical characteristic features were carried out by Raman Spectroscopy and Photoluminescence (PL) measurement technique. It was observed that the crystal quality of the epitaxial layers for the samples decreased compared to the B, A and C samples.
Benzer Tezler
- GaN temelli yüksek elektron mobiliteli transistör (HEMT) tasarımı, fabrikasyonu ve karakterizasyonu
Design, fabrication and characterization of GaN based high electron mobility transistors (HEMT)
ÖZGÜR KELEKÇİ
Doktora
Türkçe
2011
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SÜLEYMAN ÖZÇELİK
- GaN-temelli ultraince bariyerli yüksek elektron devingenlikli transistörlerinin benzetimi ve optimizasyonu
Simulation and optimation of GaN-based ultrathin barrier high electron mobility transistors
JANGEEZ MOSTAFA M JAMEEL AL ABBAS
Yüksek Lisans
Türkçe
2016
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. SEFER BORA LİŞESİVDİN
- Nitratlı fonksiyonel malzemelerin (GaN/AlN/alInN/InGaN ) mozaik kusurlarının incelenmesi
Mosaic defect investigation in the functional materials with nitrate (GaN/AlN/alInN/InGaN )
MEHMET TAMER
Doktora
Türkçe
2013
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. MUSTAFA KEMAL ÖZTÜRK
- Understanding and optimization of InN and high indium containing InGaN alloys by metal organic chemical vapor deposition
Başlık çevirisi yok
ÖCAL TUNA
Doktora
İngilizce
2013
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiRheinisch-Westfälische Technische Hochschule AachenElektrik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MICHAEL HEUKEN
PROF. DR. RAINER WASER
- AlGa(In)N/GaN yüksek elektron mobiliteli transistörlerde iki boyutlu elektron gazına ait sıcak elektron dinamiğinin incelenmesi
Investigation of hot electron dynamics of two dimensional electron gas in AlGa(In)N/GaN high electron mobility transistors
AYKUT ILGAZ
Doktora
Türkçe
2011
Fizik ve Fizik MühendisliğiBalıkesir ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. SİBEL GÖKDEN
PROF. DR. ALİ TEKE