Geri Dön

AlInN HEMT temelli yapıların noktasal yapı kusurlarının incelenmesi

Investigation of strutural point defects of AlInN HEMT based structures

  1. Tez No: 923566
  2. Yazar: ERKAN HEKİN
  3. Danışmanlar: DOÇ. DR. YUNUS ÖZEN
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2025
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Gazi Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.

Özet

Bu tez çalışmasında, GaN/AlInN/AlN yüksek elektron hareketine sahip transistör (HEMT) yapı örnekleri“Metal Organik Kimyasal Buhar Biriktirme Yöntemi (MOCVD)”kullanılarak Al2O3 üzerinde büyütüldü. Büyütülen örneklerin yapısal mozik kusurları“Yüksek Çözünürlüklü X-Işını Kırınım (HRXRD)”cihazı ile incelendi. Eğim açısı, yanal ve dikey mozaik kristal boyut, vida ve kenar dislokasyon yoğunlukları In değerine bağlı olarak Wiliamson Hall (WH) metodu kullanılarak saptandı. Değişik In oranlarında kusurlar artan veya azalan eğilimler sergiledi. Büyütülen tabakaların uygun sıcaklıkta uygun büyütme oranına ulaştığı gözlemlendi. Örneklerin yüzey morfolojisi atomik kuvvet mikroskopisi (AFM) yöntemi ile optik karakteristik özellikleri Raman Spektroskobisi ve Fotoluminesans (PL) ölçme tekniği ile gerçekleştirildi. Örnekler için epitaksiyel tabakaların kristal kalitesinin B, A ve C örneğine göre düştüğü görüldü.

Özet (Çeviri)

In this thesis, GaN/AlInN/AlN high electron mobility transistor (HEMT) structure samples were grown on Al2O3 using“Metal Organic Chemical Vapor Deposition Method (MOCVD)”. Structural mosaic defects of the grown samples were examined with“High Resolution X-Ray Diffraction (HRXRD)”device. Inclination angle, lateral and vertical mosaic crystal size, screw and edge dislocation densities were determined using the Wiliamson Hall (WH) method depending on the In value. Defects exhibited increasing or decreasing trends at different In ratios. It was observed that the grown layers reached the appropriate growth ratio at the appropriate temperature. The surface morphology of the samples was carried out by atomic force microscopy (AFM) method and optical characteristic features were carried out by Raman Spectroscopy and Photoluminescence (PL) measurement technique. It was observed that the crystal quality of the epitaxial layers for the samples decreased compared to the B, A and C samples.

Benzer Tezler

  1. Yeni Cami'nin akustik açıdan performans değerlendirmesi

    Evaluation of the acoustical performance of the New Mosque

    EVREN YILDIRIM

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2003

    Mimarlıkİstanbul Teknik Üniversitesi

    Mimarlık Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. SEVTAP YILMAZ DEMİRKALE

  2. Diesel motorları yakıt püskürtme sistemlerinin dinamik simülasyonu

    Başlık çevirisi yok

    İRFAN KARAGÖZ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1986

    Makine MühendisliğiUludağ Üniversitesi

    Makine Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. OĞUZ BORAT

  3. Landsat uydusu aracılığı ile elde edilen görüntülerin sınıflandırılmaları ve bunlara ilişkin bilgisayar programlarının hazırlanması

    Başlık çevirisi yok

    G. FERZAN KÜÇÜKA

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1985

    Bilgisayar Mühendisliği Bilimleri-Bilgisayar ve KontrolEge Üniversitesi

    Bilgisayar Bilimleri ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. HALİS PÜSKÜLCÜ

  4. ALS'da viral antikorlar üzerine bir araştırma

    Başlık çevirisi yok

    KEMAL ÖZALP

    Tıpta Uzmanlık

    Türkçe

    Türkçe

    1987

    NörolojiGazi Üniversitesi

    Nöroloji Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. CEYLA İRKEÇ