Investigation of organic field effect transistors with interdigitated ito source and drain electrodes patterned by laser cut PVC tapes
Lazer kesim PVC bantlarla desenleştirilen iç içe geçmiş ıto kaynak ve akaç elektrotlu organik alan etkili transistörlerin araştırılması
- Tez No: 930969
- Danışmanlar: PROF. DR. CANAN VARLIKLI, PROF. DR. SERDAR ÖZÇELİK
- Tez Türü: Doktora
- Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Fizik ve Fizik Mühendisliği, Kimya, Electrical and Electronics Engineering, Physics and Physics Engineering, Chemistry
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2024
- Dil: İngilizce
- Üniversite: İzmir Yüksek Teknoloji Enstitüsü
- Enstitü: Mühendislik ve Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fotonik Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 79
Özet
Bu tezde başlangıçta ışık yayan dikey bir transistör üretmeyi amaçlamıştık. Ancak, başarısız denemeler sonucunda, test amaçlı yatay bir transistör üretme kararı alınmış ve bu transistörün optimizasyonu üzerinde çalışılmıştır. Daha sonra dikey transistör üretimi, yatay optimizasyonlar ve lazer kesim teknikleri bir araya getirilerek araştırmanın ana odağı değiştirilmiştir. Islak aşındırma süreci ile elektrot desenlemek için düşük maliyetli bir üretim yöntemi olarak lazer kesim denenmiştir. İç içe geçmiş (taraklı) ITO kaynak ve drenaj elektrotları hazırlanmış, ardından organik yarıiletken olarak P3HT ve dielektrik malzeme olarak PMMA sırasıyla dönü kaplama yöntemiyle kaplanmıştır. Üst elektrot olarak da alüminyum (Al), fiziksel buhar biriktirme tekniği kullanılarak kaplanmıştır. Nihai cihaz yapısı olarak ITO(KveA)/P3HT(Organik Yarıiletken)/PMMA(Dielektrik Malzeme) /Al(Kapı) şeklinde geleneksel bir OFET mimarisi oluşturulmuştur. Üretim süreci, katman kaplama parametreleri ve lazer kesim konfigürasyonları göz önünde bulundurularak en iyileştirilmiştir. Elektriksel ölçümler, soy atmosfer koşullarında bir eldivenli kutu sistemi içinde gerçekleştirilmiştir. Üretilen OFET'ler hem tükenme hem de geliştirme modlarında çalışabilmiştir. Yapılan en iyileştirmeler sonucunda yük taşıyıcı hareketliliği artırılmış, eşik gerilimi düşürülmüş ve sıfır kapı geriliminde akım seviyeleri azaltılmıştır. P-tipi tükenme modu OFET'ler, hem ticari uygulamalarda hem de akademik literatürde nadir görülür. Bu tür transistörlerin ekran uygulamaları için umut vadeden bir aday olabileceği düşünülmektedir.
Özet (Çeviri)
This thesis aimed to produce a light-emitting vertical transistor at first. However, due to unsuccessful attempts, it was planned to produce a horizontal transistor for testing purposes and this transistor was tried to be optimized. Later, vertical efforts and horizontal optimizations and laser cutting experiences were brought together and main topic were changed later. Laser cutting was tried to achieve a low-cost fabrication technique for electrode pattern creation for the wet etching process. Interdigitated ITO Source & Drain electrodes were prepared then P3HT as OSC and PMMA as dielectric material, solution-processed and spin-coated respectively. Al top electrode was coated using the PVD technique. ITO(S&D)/P3HT(OSC)/PMMA(DM)/Al(G) conventional OFET architecture was fabricated and optimized due to layer coating parameters and laser configurations. Measurements were done in an inert atmosphere inside a glovebox system. Fabricated OFETs can work for both depletion and enhancement modes. Mobilities were increased and Threshold Voltages were decreased due to optimizations and the current levels at zero gate voltage were reduced. P-type depletion mode was rare for both in the market and at the literature. This type of OFETs may be a good candidate for display applications.
Benzer Tezler
- Organik alan etkili transistörlerin üretimi ve performans karakteristiklerinin incelenmesi
Production of organic field effect transistors and investigation of their performance characteristics
ALPER GÜLOĞLU
Doktora
Türkçe
2017
Fizik ve Fizik MühendisliğiEge ÜniversitesiGüneş Enerjisi Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. MEHMET BAYBURT
- Polimer arayüzey kullanılarak hazırlanan Au/P3HT:F4-TCNQ/n-Si Schottky bariyer diyotun frekansa bağlı elektrik ve dielektrik özelliklerinin incelenmesi
The investigation of frequency dependent electric and dielectric properties of Au/P3HT:F4-TCNQ/n-Si Schottky barrier diode prepared by using polymer interface layer
AYNUR ÖZTÜRK
Yüksek Lisans
Türkçe
2018
Fizik ve Fizik MühendisliğiDüzce ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ÖZGE TÜZÜN ÖZMEN
- Ditiyeno[2,3-b;3',2'-d]Tiyofen ve Tiyeno[2,3-b]Tiyofen temelli organik elektronik ve optoelektronik malzemelerin sentezleri ve özelliklerinin incelenmesi
Preparation and investigation of the properties of electro and optoelectro active materials based on Dithieno[2,3-b;3',2'-d]Thiophene and Thieno[2,3-b]Thiophene
ŞULE TAŞKIRAN ÇANKAYA
- Alkil sübstitüentli ditiyenotiyofenlerin sentezi ve elektronik özelliklerinin incelenmesi
Syntheses of alkyl substituted dithienotiophenes and investigation of their electronic properties
FATMA DİKÇAL
- Bromo tiyokzanton ve oligotiyofen türevinin sentezi, fotofiziksel ve elektrokimyasal özelliklerinin incelenmesi
The synthesis of bromo thioxanthone and oligothiophene derivative and the investigation of photophysical and electrochemical properties
BESTE ORHAN