LEC tekniği ile büyütülen bulk InAs yarıiletkenin magneto ve elektron iletim özellikleri
Magneto and elektron conductivity properties of bulk inas semiconductor, processed with LEC technique
- Tez No: 156024
- Danışmanlar: DOÇ.DR. MEHMET KASAP
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2004
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 60
Özet
LEC TEKNİĞİ İLE BÜYÜTÜLEN BULK InAs YARI İLETKENİN MAGNETO VE ELEKTRON İLETİM ÖZELLİKLERİ (Yüksek Lisans Tezi) Kerem ÇELİK GAZİ ÜNİVERSİTESİ FEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜ Ekim 2004 ÖZET Liquid Encapsulated Czocralski (LEC) tekniği ile büyütülen S katkılı InAs yarıiletkeninde sıcaklığa bağlı iletkenlik, Hail etkisi ve magneto özdirenç ölçümleri 14-350 K sıcaklık aralığında yapıldı. Ölçüm sonuçları ve analizler yüksek seviyede S katkısının (n=1,7x1018 cm"3) elektron ve magneto iletime çok büyük etkisinin olduğunu gösterdi. Bu katkı seviyesinde InAs, yarıiletken davranışı yerine metalik davranış sergilediği gözlendi. Çalışılan sıcaklık aralığında sıcaklığa bağlı özdirenç 20-160 K aralığında kuvvet modeliyle ve 160-350 K aralığında lineer model ile analiz edildi. Kuvvet indeks 4,2 olarak bulundu. Magneto özdirenç katsayısının düşen sıcaklıkla genel bir artış gösterirken iki minimum sergilediği gözlendi. Gözlenen minimumların, S katkısından ve LEC büyütme tekniğinin doğasından kaynaklanan C ve Zn katkıları ile bağlantılı olduğu belirlendi. Bilim Kodu Anahtar Kelimeler Sayfa Adedi Tez Yöneticisi Üİ3 Hail etkisi, manyetik direnç ve Van der Pauw Doç.Dr.Mehmet KASAP
Özet (Çeviri)
MAGNETO AND ELEKTRON CONDUCTIVITY PROPERTIES OF BULK INAS SEMICONDUCTOR, PROCESSED WİTH LEC TECHNIQUE (M.Sc.Thesis) Kerem ÇELİK GAZI UNIVERSITY INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY October 2004 ABSTRACT Conductivity, due to temperature, Hall effect and magneto resistance are measured at 14-350 K interval in S added In As semiconduction, processed with Liquid Encapsulated Czocralski (LEC) growth technique. Measurement results and analysis showed that high level S addition has a big effect on electron and magneto conductivity. In this addition level InAs showed metalic behaviour rather than a semiconductor behaviour. At worked heat interval, it is analised with the power model at 20-160 K interval and with linear model at 160-350 K interval. It's found that power index is 4,2. While the magneto resistivity coefficient shows a general increase with the decreasing temperature, it exhibits two minimums. These observed minimums are related to S addition and C, Zn additions that are caused by LEC growth technique. Science Code Key Words Page Number Adviser 1 1.&;. Hall effect, magnetoresistivity and Van der Pauw 5$ Doç.Dr.Mehmet KASAP
Benzer Tezler
- LEC tekniği ile büyütülen Te katkılı n-tipi GaSb yarı iletkeninde sıcaklık bağımlı manyetik ve elektron iletim özellikleri
The temperature dependent electron and magnetotransport in Te doped n-type GaSb grown by LEC
BİRGÜL YASEMİN IŞIK
Yüksek Lisans
Türkçe
2004
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ.DR. MEHMET KASAP
- LEC tekniği ile büyütülen Te katkılı n-Tipi InSb yarıiletkeninde sıcaklık bağımlı manyetik ve elektron iletim özellikleri
The temperature dependent electron and magneto transport properties in Te doped n-Type InSb grown by LEC
ÜMİT YURDUGÜL
Yüksek Lisans
Türkçe
2005
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. MEHMET KASAP
- LEC tekniği ile büyütülen Zn katkılı InAs yarıiletkeninde sıcaklık bağımlı manyetik ve elektron iletim özellikleri
The temperature dependent electron and magnetotransport in Zn doped InAs grown by LEC
İLKER KARA
Yüksek Lisans
Türkçe
2006
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. MEHMET KASAP
- GaP/metal Schottky diyotunun hazırlanması ve elektronik özelliklerinin incelenmesi
Preporation of GaP/metal Schottky diode and investigation of electronic properties
SEVİL EROL
Yüksek Lisans
Türkçe
2010
Fizik ve Fizik MühendisliğiFırat ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. FETHİ DAĞDELEN
- GaAs ve InP yarıiletkenlerde elektriksel karakterizasyon
Electrical characterization in GaAs and InP
SELİM ACAR
Doktora
Türkçe
2003
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. MEHMET KASAP