LEC tekniği ile büyütülen Te katkılı n-Tipi InSb yarıiletkeninde sıcaklık bağımlı manyetik ve elektron iletim özellikleri
The temperature dependent electron and magneto transport properties in Te doped n-Type InSb grown by LEC
- Tez No: 196625
- Danışmanlar: DOÇ. DR. MEHMET KASAP
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2005
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 88
Özet
LEC TEKN Ğ LE BÜYÜTÜLEN Te KATKILI n-T P InSbÖZELL KLER(Yüksek Lisans Tezi)Ümit YURDUGÜLGAZ ÜN VERS TESFEN B L MLER ENST TÜSÜAralık 2005ÖZETLEC tekniği ile büyütülen n-tipi Te katkılı InSb numunesinde, manyetik alanbağımlı özdirenç ve Hall etkisi ölçümleri 14-350K sıcaklık aralığında ve 0-1.35Tmanyetik alan aralığında yapıldı. Ölçüm sonuçları geleneksel ve `nicel mobilitespektrum analiz' (QMSA) teknikleri kullanılarak analiz edildi. Analizsonuçlarından; LEC kristal büyütme tekniğinden ve Te katkısındankaynaklanan safsızlık seviyelerinin, manyeto ve elektron iletim özelliklerineşiddetli bir etkisi olduğu bulundu. Sıcaklık bağımlı manyetoözdirenç katsayısıdüşen sıcaklıkla iki minimum sergileyerek bir artış göstermektedir. Buminimumların iki tip safsızlıkla ilgili olduğu bulundu.Bilim Kodu : 202.1.147Anahtar Kelimeler : InSb, Hall Mobilitesi, QMSA, Elektron letimi, ManyetikÖzdirençSayfa Adedi : 77Tez Yöneticisi : Doç. Dr. Mehmet KASAP
Özet (Çeviri)
THE TEMPERATURE DEPENDENT ELECTRON ANDMAGNETO TRANSPORT PROPORT ES N Te DOPED n-TYPE InSbGROWN BY LEC(M.Sc. Thesis)Ümit YURDUGÜLGAZI UNIVERSITYINSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGYDecember 2005ABSTRACTResistivity, magnetoresistivity and Hall effect measurements in n-type Te-dopedInSb grown by the LEC technique were carried out as a function oftemperature (14-350 K) and magnetic field (0-1.35 T). The measurement resultsare analyzed using the conventional and quantitative mobility spectrum analysismethods. It is found that the impurity levels arising from LEC technique andintentionally dopants have a strong influence on both the electron and magnetotransport properties. The temperature dependence of the magnetoresistivitycoefficient shows an overall increase by representing two minima as thetemperature decreases. These minima are associated with two types ofimpurities.Science Code : 202.1.147Key Words : InSb, Hall mobility, QMSA, Electron Transport,MagnetoresistivityPage Number : 77Adviser : Doç. Dr. Mehmet KASAP
Benzer Tezler
- LEC tekniği ile büyütülen Te katkılı n-tipi GaSb yarı iletkeninde sıcaklık bağımlı manyetik ve elektron iletim özellikleri
The temperature dependent electron and magnetotransport in Te doped n-type GaSb grown by LEC
BİRGÜL YASEMİN IŞIK
Yüksek Lisans
Türkçe
2004
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ.DR. MEHMET KASAP
- LEC tekniği ile büyütülen bulk InAs yarıiletkenin magneto ve elektron iletim özellikleri
Magneto and elektron conductivity properties of bulk inas semiconductor, processed with LEC technique
NİYAZİ KEREM ÇELİK
Yüksek Lisans
Türkçe
2004
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ.DR. MEHMET KASAP
- LEC tekniği ile büyütülen Zn katkılı InAs yarıiletkeninde sıcaklık bağımlı manyetik ve elektron iletim özellikleri
The temperature dependent electron and magnetotransport in Zn doped InAs grown by LEC
İLKER KARA
Yüksek Lisans
Türkçe
2006
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. MEHMET KASAP
- GaP/metal Schottky diyotunun hazırlanması ve elektronik özelliklerinin incelenmesi
Preporation of GaP/metal Schottky diode and investigation of electronic properties
SEVİL EROL
Yüksek Lisans
Türkçe
2010
Fizik ve Fizik MühendisliğiFırat ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. FETHİ DAĞDELEN
- GaAs ve InP yarıiletkenlerde elektriksel karakterizasyon
Electrical characterization in GaAs and InP
SELİM ACAR
Doktora
Türkçe
2003
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. MEHMET KASAP