Geri Dön

LEC tekniği ile büyütülen Zn katkılı InAs yarıiletkeninde sıcaklık bağımlı manyetik ve elektron iletim özellikleri

The temperature dependent electron and magnetotransport in Zn doped InAs grown by LEC

  1. Tez No: 196671
  2. Yazar: İLKER KARA
  3. Danışmanlar: DOÇ. DR. MEHMET KASAP
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2006
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Gazi Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 106

Özet

iiiLEC TEKN Ğ LE BÜYÜTÜLEN Zn KATKILI InAs YARI LETKEN NDESICAKLIK BAĞIMLI MANYET K VE ELEKTRON LET MÖZELL KLER(Yüksek Lisans Tezi)lker KARAGAZ ÜN VERS TESFEN B L MLER ENST TÜSÜOcak 2006ÖZETBu çalışmada LEC tekniği ile büyütülen Zn katkılı InAs yarıiletkeninde iletimözellikleri incelendi. Hall etkisi ve özdirenç ölçümleri 20-345 K sıcaklık ve 0-1,5T manyetik alan aralığında yapıldı. Sıcaklığa bağlı özdirenç ölçümlerinden Znbağlanma enerjisi ve InAs yarıiletkeninin yasak enerji aralığı hesaplandı.ncelen numune düşük ve yüksek sıcaklık bölgesinde n-tipi elektriksel iletkenlikgösterirken orta sıcaklık bölgesinde p-tipi elektriksel iletkenlik özelliği gösterdi.Manyetik özdirenç ölçümleri klasik manyetik özdirenç teorisi ile analiz edildi.Manyetik alan bağımlı özdirenç ve Hall etkisi ölçümleri ‛Nicel MobiliteSpektrum Analiz' (QMSA) tekniği ile analiz edilerek; bireysel taşıyıcılarınelektron ve manyetik iletime etkileri araştırıldı. Ölçümler ve analizlersonucunda, alıcı ve verici safsızlık enerji seviyelerini içeren bir bant modeliönerildi.Bilim Kodu : 202.1.075Anahtar Kelimeler : InAs, Hall Mobilitesi, QMSA, Elektron letimi. ManyetikÖzdirençSayfa Adedi : 81Tez Yöneticisi : Doç. Dr. Mehmet KASAP

Özet (Çeviri)

ivTHE TEMPERATURE DEPENDENT ELECTRON ANDMAGNETOTRANSPORT IN Zn DOPED InAs GROWN BY LEC(M.Sc.Thesis)lker KARAGAZI UN VERSITYINSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGYJanuraly 2005ABSTRACTIn this work, the transport properties of Zn doped InAs semiconductor grownby LEC technique were investigated. Resistivity and Hall effect measurementwere taken between 20-345 K and 0-1,5 T. The activation energy of Zn and theband gap of InAs have been calculation from the temperature resistivitymeasurement. The studied sample show n-type electrical conductivity at hightemperatures while it shown p-type conductivity at intermediate temperaturesregion. The magnetoresistivity measurements have been analyzed using theclassical magnetoresistivity theory. The magnetic field dependent resistivity andHall effect measurements have been analyzed using the ?Qantitative MobiltySpectrum Analysis? technique and, the effect of individual carrier electron andmagneto transport properties have also investigated. According tomeasurements a band model inculding an acceptor and donor energy levels wassugguested.Science Code : 202.1.075Key Words : InAs, Hall Mobility, QMSA, electron transport. MagneticresistvityPage number : 81Adviser : Ass. Prof. Mehmet KASAP

Benzer Tezler

  1. LEC tekniği ile büyütülen bulk InAs yarıiletkenin magneto ve elektron iletim özellikleri

    Magneto and elektron conductivity properties of bulk inas semiconductor, processed with LEC technique

    NİYAZİ KEREM ÇELİK

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2004

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ.DR. MEHMET KASAP

  2. LEC tekniği ile büyütülen Te katkılı n-tipi GaSb yarı iletkeninde sıcaklık bağımlı manyetik ve elektron iletim özellikleri

    The temperature dependent electron and magnetotransport in Te doped n-type GaSb grown by LEC

    BİRGÜL YASEMİN IŞIK

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2004

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ.DR. MEHMET KASAP

  3. LEC tekniği ile büyütülen Te katkılı n-Tipi InSb yarıiletkeninde sıcaklık bağımlı manyetik ve elektron iletim özellikleri

    The temperature dependent electron and magneto transport properties in Te doped n-Type InSb grown by LEC

    ÜMİT YURDUGÜL

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2005

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. MEHMET KASAP

  4. GaP/metal Schottky diyotunun hazırlanması ve elektronik özelliklerinin incelenmesi

    Preporation of GaP/metal Schottky diode and investigation of electronic properties

    SEVİL EROL

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2010

    Fizik ve Fizik MühendisliğiFırat Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. FETHİ DAĞDELEN

  5. GaAs ve InP yarıiletkenlerde elektriksel karakterizasyon

    Electrical characterization in GaAs and InP

    SELİM ACAR

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2003

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. MEHMET KASAP