LEC tekniği ile büyütülen Zn katkılı InAs yarıiletkeninde sıcaklık bağımlı manyetik ve elektron iletim özellikleri
The temperature dependent electron and magnetotransport in Zn doped InAs grown by LEC
- Tez No: 196671
- Danışmanlar: DOÇ. DR. MEHMET KASAP
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: InAs, Hall Mobilitesi, QMSA, Elektron letimi. ManyetikÖzdirenç, InAs, Hall Mobility, QMSA, electron transport. Magneticresistvity
- Yıl: 2006
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
iiiLEC TEKN Ğ LE BÜYÜTÜLEN Zn KATKILI InAs YARI LETKEN NDESICAKLIK BAĞIMLI MANYET K VE ELEKTRON LET MÖZELL KLER(Yüksek Lisans Tezi)lker KARAGAZ ÜN VERS TESFEN B L MLER ENST TÜSÜOcak 2006ÖZETBu çalışmada LEC tekniği ile büyütülen Zn katkılı InAs yarıiletkeninde iletimözellikleri incelendi. Hall etkisi ve özdirenç ölçümleri 20-345 K sıcaklık ve 0-1,5T manyetik alan aralığında yapıldı. Sıcaklığa bağlı özdirenç ölçümlerinden Znbağlanma enerjisi ve InAs yarıiletkeninin yasak enerji aralığı hesaplandı.ncelen numune düşük ve yüksek sıcaklık bölgesinde n-tipi elektriksel iletkenlikgösterirken orta sıcaklık bölgesinde p-tipi elektriksel iletkenlik özelliği gösterdi.Manyetik özdirenç ölçümleri klasik manyetik özdirenç teorisi ile analiz edildi.Manyetik alan bağımlı özdirenç ve Hall etkisi ölçümleri âNicel MobiliteSpektrum Analiz' (QMSA) tekniği ile analiz edilerek; bireysel taşıyıcılarınelektron ve manyetik iletime etkileri araştırıldı. Ölçümler ve analizlersonucunda, alıcı ve verici safsızlık enerji seviyelerini içeren bir bant modeliönerildi.Bilim Kodu : 202.1.075
Özet (Çeviri)
ivTHE TEMPERATURE DEPENDENT ELECTRON ANDMAGNETOTRANSPORT IN Zn DOPED InAs GROWN BY LEC(M.Sc.Thesis)lker KARAGAZI UN VERSITYINSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGYJanuraly 2005ABSTRACTIn this work, the transport properties of Zn doped InAs semiconductor grownby LEC technique were investigated. Resistivity and Hall effect measurementwere taken between 20-345 K and 0-1,5 T. The activation energy of Zn and theband gap of InAs have been calculation from the temperature resistivitymeasurement. The studied sample show n-type electrical conductivity at hightemperatures while it shown p-type conductivity at intermediate temperaturesregion. The magnetoresistivity measurements have been analyzed using theclassical magnetoresistivity theory. The magnetic field dependent resistivity andHall effect measurements have been analyzed using the ?Qantitative MobiltySpectrum Analysis? technique and, the effect of individual carrier electron andmagneto transport properties have also investigated. According tomeasurements a band model inculding an acceptor and donor energy levels wassugguested.Science Code : 202.1.075
Benzer Tezler
- LEC tekniği ile büyütülen bulk InAs yarıiletkenin magneto ve elektron iletim özellikleri
Magneto and elektron conductivity properties of bulk inas semiconductor, processed with LEC technique
NİYAZİ KEREM ÇELİK
Yüksek Lisans
Türkçe
2004
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ.DR. MEHMET KASAP
- LEC tekniği ile büyütülen Te katkılı n-tipi GaSb yarı iletkeninde sıcaklık bağımlı manyetik ve elektron iletim özellikleri
The temperature dependent electron and magnetotransport in Te doped n-type GaSb grown by LEC
BİRGÜL YASEMİN IŞIK
Yüksek Lisans
Türkçe
2004
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ.DR. MEHMET KASAP
- LEC tekniği ile büyütülen Te katkılı n-Tipi InSb yarıiletkeninde sıcaklık bağımlı manyetik ve elektron iletim özellikleri
The temperature dependent electron and magneto transport properties in Te doped n-Type InSb grown by LEC
ÜMİT YURDUGÜL
Yüksek Lisans
Türkçe
2005
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. MEHMET KASAP
- Investigation of the impact of the solar power generation forecast by using big data analytics on the local electricity market
Büyük veri analitiği ile yapılan güneş enerjisi üretim tahmininin yerel elektrik piyasası üzerindeki etkisinin incelenmesi
OZAN OĞULCAN DEMİRTAŞ
Yüksek Lisans
İngilizce
2023
EnerjiHacettepe ÜniversitesiTemiz Tükenmez Enerjiler Ana Bilim Dalı
PROF. DR. AYŞEN SİVRİKAYA
DOÇ. DR. TUNCA DOĞAN
- GaP/metal Schottky diyotunun hazırlanması ve elektronik özelliklerinin incelenmesi
Preporation of GaP/metal Schottky diode and investigation of electronic properties
SEVİL EROL
Yüksek Lisans
Türkçe
2010
Fizik ve Fizik MühendisliğiFırat ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. FETHİ DAĞDELEN