Metal-yarıiletken/yarıizalatör kavşaklarındaki injeksiyon mekanizmalarının incelenmesi
Başlık çevirisi mevcut değil.
- Tez No: 17759
- Danışmanlar: PROF.DR. YANİ ISKARLATOS
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 1991
- Dil: Türkçe
- Üniversite: İstanbul Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 37
Özet
ÖZET Termik buharlaştırma yöntemiyle 10 5 torr vakum al tında alüminyum metal filmler elde edildi. Bu filmlerin üzerine anodik oksidasyon yöntemiyle Al. 2 O 3 yapısı kap landı ve metal oksit yapısının üzeri yine ayna vakum şartlarında alüminyum metal film ile kaplandı. Elde -A edilen numunenin dielektrik özellikleri 3x10 4 torr vakum altında sıcaklığa ve frekansa bağlı olarak ince lendi. Polarizasyonun sıcaklığa ve frekansa bağlılığı ince lenerek, özellikle alçak frekanslarda arttığı gözlendi ve bu yüzeyler arasıpolarizlenme mekanizmasına göre açıklandı.
Özet (Çeviri)
SUMMARY Aluminium metal films have obtained under the 10 5 torr vacuum by using termal evaporation method. By the use of anodic oxidation technic an Al-O.3 layer has been coated on these films on which a Al-metal film cauted under the same conditions. The dielektrical properties of thus ob tained sample has been investigated as function of tem- - A parature and frequency under 3x10 4 torr vacuum. Dependence of the polarization upon temperature and frequency has been discussed and it has been observed that polarization increases at low frequences, this phe nomenon has been explained in terms of inter facial pola- rizability.
Benzer Tezler
- Metal-yarıiletken kontaklarda kapasitenin arayüzey hallerine bağlı incelenmesi
Investigation of capaticance in metal-semiconductor contacts according to interface states
HİKMET BOZKURT
Yüksek Lisans
Türkçe
2009
Fizik ve Fizik MühendisliğiYüzüncü Yıl ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. CABİR TEMİRCİ
- Yüzeyi nano boyutta kendiliğinden toplanan tekli tabaka (SAM) molekülü ile modifiye edilmiş organik arayüzeyli silisyum tabanlı schottky diyotların incelenmesi
Investigation of schottky diodes, whi̇ch are based-silicon, at the interface of organic whose surface modified with nano size self assembled monolayer (SAM) molecules
BAŞAK ASLIHAN BAĞCI
Yüksek Lisans
Türkçe
2021
Kimya MühendisliğiSelçuk ÜniversitesiNanoteknoloji ve İleri Malzemeler Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ÖMER FARUK YÜKSEL
- Metal-yarıiletken kontaklarda Schottky engelinin sığa özellikleri
Capacitance properties of Schottky barrier at metal-semiconducter contacts
TAMER GÜZEL
Yüksek Lisans
Türkçe
2006
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. METİN ÖZER
- Mn/P-Si schottky diyotunun hidrostatik basınç altında I-V karakterizasyonu
I-V characterization of Mn/P-Si schottky diode under hydrostatic pressure
SONGÜL FİAT
Yüksek Lisans
Türkçe
2006
Fizik ve Fizik MühendisliğiGaziosmanpaşa ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
Y.DOÇ.DR. GÜVEN ÇANKAYA
- Ti/Si ve Zr/Si eklemlerin elektriksel karakteristikleri
Electrical caracteristics of Ti/Si and Zr/Si junctions
HALİL ALBAYRAK
Yüksek Lisans
Türkçe
2006
Fizik ve Fizik MühendisliğiYıldız Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ.DR. IŞIK KARABAY