Metal-yarıiletken/yarıizalatör kavşaklarındaki injeksiyon mekanizmalarının incelenmesi
Başlık çevirisi mevcut değil.
- Tez No: 17759
- Danışmanlar: PROF.DR. YANİ ISKARLATOS
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 1991
- Dil: Türkçe
- Üniversite: İstanbul Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 37
Özet
ÖZET Termik buharlaştırma yöntemiyle 10 5 torr vakum al tında alüminyum metal filmler elde edildi. Bu filmlerin üzerine anodik oksidasyon yöntemiyle Al. 2 O 3 yapısı kap landı ve metal oksit yapısının üzeri yine ayna vakum şartlarında alüminyum metal film ile kaplandı. Elde -A edilen numunenin dielektrik özellikleri 3x10 4 torr vakum altında sıcaklığa ve frekansa bağlı olarak ince lendi. Polarizasyonun sıcaklığa ve frekansa bağlılığı ince lenerek, özellikle alçak frekanslarda arttığı gözlendi ve bu yüzeyler arasıpolarizlenme mekanizmasına göre açıklandı.
Özet (Çeviri)
SUMMARY Aluminium metal films have obtained under the 10 5 torr vacuum by using termal evaporation method. By the use of anodic oxidation technic an Al-O.3 layer has been coated on these films on which a Al-metal film cauted under the same conditions. The dielektrical properties of thus ob tained sample has been investigated as function of tem- - A parature and frequency under 3x10 4 torr vacuum. Dependence of the polarization upon temperature and frequency has been discussed and it has been observed that polarization increases at low frequences, this phe nomenon has been explained in terms of inter facial pola- rizability.
Benzer Tezler
- n-Si/Mo Schottky diyotların sıcaklığa bağlı elektriksel karakterizasyonu
Temperature dependent electrical characterization of n-Si/Mo Schottky diodes
RECAİ ŞAHİN
Yüksek Lisans
Türkçe
2020
Fizik ve Fizik MühendisliğiDicle ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. KEMAL AKKILIÇ
- Metal-yarıiletken kontaklarda kapasitenin arayüzey hallerine bağlı incelenmesi
Investigation of capaticance in metal-semiconductor contacts according to interface states
HİKMET BOZKURT
Yüksek Lisans
Türkçe
2009
Fizik ve Fizik MühendisliğiYüzüncü Yıl ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. CABİR TEMİRCİ
- Metal/Si ve metal/Si1-xGex/Si Schottky bariyer diyotlarının elektrik özelliklerinin incelenmesi
Investigation of electrical properties of metal/Si and metal/Si1-xGex/Si Schottky barrier diodes
KADİR ERTÜRK
Doktora
Türkçe
2007
Fizik ve Fizik MühendisliğiUludağ ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. NAİM DEREBAŞI
- Mn/n-GaAs Schottky diyotunun hidrostatik basınç altında elektriksel karakterizasyonu
Electrical characterization of Mn/n-GaAs Schottky diode under hydrostatic pressure
SADIK ÖNAL
Yüksek Lisans
Türkçe
2007
Fizik ve Fizik MühendisliğiGaziosmanpaşa ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. GÜVEN ÇANKAYA
- İletken polimer/p-Si diyortlarının üretimi ve elektriksel özellikleri
Electrical proporties and production of conducting polymer/p-Si diodes
MALİK KAYA
Yüksek Lisans
Türkçe
2007
Fizik ve Fizik MühendisliğiErciyes ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ENİSE AYYILDIZ