III-V yarı iletkenlerinden oluşan heteroyapıların elektronik özelliklerinin yoğunluk fonksiyoneli teorisi ile incelenmesi
Density functional theory study of the electronic structure of heterostructures of III-V semiconductors
- Tez No: 269622
- Danışmanlar: DOÇ. DR. SEYFETTİN DALGIÇ
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2010
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Trakya Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 68
Özet
Bu çalışmada (001) yönünde tek, ikişer ve üçer katmanlı olarak modellenmiş AlAs/GaAs bulk hetero yapıların, taban durumundaki örgü sabiti, toplam enerjisi ve ortalama etkin potansiyeli, yoğunluk fonksiyonel teorisi kullanılarak incelenmiştir. Sistem z ekseni boyunca optimize edilerek bu bulk yapının en kararlı durumu elde edilmiştir. Hesaplamalar, temeli yoğunluk fonksiyonel teorisine dayanan düzlem dalga öz uyum alan programı kullanılarak yapılmıştır. Ayrıca AlAs/GaAs hetero bulk yapısındaki arayüzeyde etkin potansiyel farkı olduğu gözlenmiştir. Bundan dolayı bu sistemler elektronik ve opto-elektronik aletlerin yapımında önemlidir.
Özet (Çeviri)
In this study, ground state of lattice constant, total energy and average effective potential of AlAs/GaAs bulk heterostructures which are modeled as monolayer, bilayer and triple-layered in the direction of (001) have been investigated by using Density Functional Theory. Equilibrium state of this bulk structure has been obtained by optimizing the system along z axis. The calculations have been done by using Plane Wave Self Consistent Field Program which is based on Density Functional Theory. It has been observed that there is an effective potential difference at the interface which is in AlAs/GaAs bulk heterostructure. Therefore, it has an important role in invent of electronic and opto-electronic devices.
Benzer Tezler
- III-V yarı iletkenlerinin yüzey özellikleri
Surface properties of III-V semiconductors
EMRE ERSİN
Yüksek Lisans
Türkçe
2007
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesiİleri Teknolojiler Ana Bilim Dalı
PROF. DR. BÜLENT KUTLU
- Graphitic carbon nitride/oxygen deficient tungsten oxide s-scheme heterojunctions for photocatalytic dye degradation and hydrogen peroxide generation under visible light irradiation
Görünür ışık altında fotokatalitik boya bozunması ve hidrojen peroksit üretimi için s-şemalı grafitik karbon nitrür/oksijen noksanlı tungsten oksit heteroeklemleri
ALEYNA BAŞAK
Yüksek Lisans
İngilizce
2023
KimyaKoç ÜniversitesiMalzeme Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ÖNDER METİN
- İki boyutlu InGaAs/GaAs yapısında elektronik enerjilere ve safsızlık bağlanma enerjisine, basınç, sıcaklık ve yapı parametrelerinin etkisi
Effect of pressure, temperature and structure parameters on electronic energies and impurity binding energy in two-dimensional InGaAs/GaAs structure
YAĞMUR SOLAK
Yüksek Lisans
Türkçe
2024
Fizik ve Fizik MühendisliğiSivas Cumhuriyet ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. PINAR BAŞER
- Development of thin film GaAs p-i-n solar cells peeled-off from Si substrates
p-i-n yapıda GaAs tabanlı esnek ince film güneş hücrelerinin Si alttaşlar üzerinden geliştirilmesi
FURKAN AZİM
Yüksek Lisans
İngilizce
2022
EnerjiEskişehir Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. MUSTAFA KULAKCI
- Örgü sabitleri uyusmayan III-V yarıiletken nanotellerinin elektronik ve geometrik özelliklerinin yoğunluk fonksiyonel teorisi ile incelenmesi
Density functional theory investigation of electronic and geometric properties of the lattice mismatched III-V semiconducting nanowires
BARIŞ ÖZKAPI
Doktora
Türkçe
2012
Fizik ve Fizik MühendisliğiTrakya ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. SEYFETTİN DALGIÇ
YRD. DOÇ. DR. HANDE TOFFOLİ