GaAs/AlGaAs yapıların geniş akım bandındaki elektriksel karakterlerinin incelenmesi
Electrical characteristics of GaAs/AlGaAs structures in the wide frequency ranges
- Tez No: 529968
- Danışmanlar: DOÇ. DR. BEYZA LİŞESİVDİN
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2018
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 57
Özet
GaAs/AlGaAs yapılarının elektriksel karekteristik özellikleri kapasitans-voltaj (C-V) ve iletkenlik-voltaj (G/w-V) ölçümleri kabul ölçüm tekniği kullanılarak 7 kHz-700 kHz frekans aralığında yapılarak incelendi. C ve G / w değerleri, frekansın güçlü bir işlevi bulundu. C-V grafikleri, inversiyon ve birikim bölgelerine karşılık gelen iki pik gösterir. İlk pik , metal / yarı iletken arayüzünde lokalize edilmiş yüzey durumlarının / arayüz durumlarının (Nss) özel yoğunluk dağılımına atfedildi. Anormal pik olarak adlandırılan ikinci tepe noktası ve büyüklüğü artan frekanslarla azalır ve seri direnç (Rs), Nss ve yüzeysel tabaka yerli ya da biriktirilmiş olarak atfedilebilir. Bu nedenle, Nss'in voltaj bağımlı profili düşük-yüksek frekanslı kapasite (CLF-CHF) tekniği kullanılarak elde edildi. Nss-V grafiği, sırasıyla yaklaşık -10 V ve 0 V'de iki ayrı tepe noktası gösterir. Nss değeri ayrıca her frekans için Hill-Coleman tekniği kullanılarak elde edildi ve NSS değeri artan frekansla azaldı. Deney sonuçları, hem Nss hem de Rs değerlerinin, GaAs / AlGaAs yapılarındaki kabul ölçümleri üzerinde önemli ölçüde etkilediğini doğrulamıştır.
Özet (Çeviri)
GaAs/AlGaAs structures'electrical characteristics have been investigated in the frequency range of 7 kHz-700 kHz by using admittance measurements technique which is including various capacitance-voltage (C-V) and conductance-voltage (G/w-V) measurements. The C and G/w values are found a strong function of frequency. The C-V plots show two peaks which are corresponding to the inversion and accumulation regions. The first peak was attributed to the particular density distribution of surface states/interface states (Nss) localized at metal/semiconductor interface. Second peak which is called anomalous peak and its magnitude decreases with increasing frequencies and it can be attributed to the series resistance (Rs), Nss, and interfacial layer native or deposited. Therefore, the voltage dependent profile of Nss was obtained using the low-high frequency capacitance (CLF-CHF) technique. Nss-V plot shows two distinctive peaks at about -10 V and 0 V, respectively. The Nss value was also obtained using Hill-Coleman technique for each frequency and the value of Nss decreases with increasing frequency. The experimental results confirmed that both the values of Nss and Rs considerably affect a the admittence considerably effect on the admittance measurements in the GaAs/AlGaAs structures.
Benzer Tezler
- GaAs/AlGaAs tabanlı kuantum kuyularının TEM (geçirimli elektron mikroskobu) ile analizi
Characterization of GaAs/AlGaAs quantum wells with TEM (transmission electron microscopy) techniques
TUĞÇE KARAKULAK
Yüksek Lisans
Türkçe
2010
Fizik ve Fizik MühendisliğiAnadolu ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. UĞUR SERİNCAN
- Düşük boyutlu yarıiletken yapılarda sıcak elektronların enerji kayıp mekanizmalarının incelenmesi
An investigation of energy loss mechanism of hot electrons in low dimensional semiconductor structures
GÖKHAN ALGÜN
Doktora
Türkçe
2004
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ÇETİN ARIKAN
- The Electronic and transport properties of modulation doped heterostructures
Modülasyon katkılı bhetero-yapıların elektronik ve transport özellikleri
MOHAMED AYMAN MOGDY ELDENGİ
Doktora
İngilizce
1994
Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MEHMET TOMAK
- Sıcak elektron tabanlı optik sensörler
Hot electron based optical sensors
FEYZA SÖNMEZ
Doktora
Türkçe
2024
Fizik ve Fizik MühendisliğiEskişehir Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ENGİN TIRAŞ
- Si ve GaAs alt yapılı yarı iletken materyallerin mikroyapılarının ve bazı özelliklerinin incelenmesi
The investigation of micro structures and some properties of semiconductors having Si or GaAs substraties
SÜLEYMAN AYDIN
Yüksek Lisans
Türkçe
1998
Eğitim ve ÖğretimAtatürk ÜniversitesiFizik Eğitimi Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. YUSUF ATICI