Geri Dön

Bor'un silikondaki difüzyon mekanizması

Başlık çevirisi mevcut değil.

  1. Tez No: 98293
  2. Yazar: SİNAN KAZAN
  3. Danışmanlar: Y.DOÇ.DR. ENGİN BAŞARAN
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2000
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Gebze Yüksek Teknoloji Enstitüsü
  10. Enstitü: Mühendislik ve Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 74

Özet

IV ÖZET - ' V^ 1 % V Difüzyon en genel anlamda maddenin, sistemin bir yerinden djğer bir yerine» / transfer edilmesi sürecidir. Bu difüzyon sürecinin nasıl bir mek'ârfrztTTayla gerçekleştiği, bu konunun yarıiletken cihaz teknolojisinde oynadığı oskaılık rolü nedeniyle, yarım yüzyıldır çok yoğun olarak çalışılmış ve bu çalışmaların neticesinde yarıiletken cihazlar günlük hayatımızın vaz geçilemez ihtiyaçları olmuştur. Bor' un silikon içerisindeki difüzyonu yarıiletken cihazlarda p-tipi bölgeler elde etmek için evrensel bir teknik olup, günümüze kadar yarıiletken cihazların fabrikasyonunda kullanılmıştır. Silikon kristali içerisindeki bor katkı profilini hemen hemen bütün araştırmacılar p-n eklem tekniğiyle elde etmiştir. Cihaz teknolojisinde çok önemli bir aşama olan silikon yüzeyin oksitle kaplanması, araştırmacıların çalışmalarını oksit ortamda difüzyonun hızlanmasından dolayı bu yöne çekmiştir. Bor' un difüzyon mekanizması tam olarak, noktasal kusurların özelliklerinin ve silikon yüzeydeki oksidasyon kinetiğinin araştırılması ile anlaşılmıştır. Bu çalışmaların sonucunda, bor ve fosfor gibi katkı maddelerinin difüzyon mekanizmaları ve bu mekkanizmanın difüzyon parametrelerine karşı gösterdikleri davranış anlaşılmıştır

Özet (Çeviri)

SUMMARY Generally, diffusion is a transfer process in which matter is transferred from one place to another place of system. The mechanism of this diffusion process have studied more intensively for last half century due to crucial role in semiconductor device technology and the result of this interest, semiconductor devices have became more important necessity of our day life. The diffusion of Boron in semiconductor devices is a universal technique to obtain p-type regions. The characteristic concentration profile of boron in silicon is obtained by using p-n junction methode. The oxidation process, which is one of the most important part of devices fabrication, guided to the researcher to this research area due to enhancement of diffusion in oxidizing ambient. The diffusion mechanism of boron is understood after the determination of the properties of point defects and the oxidation kinetics at silicon surface. Finally, the diffusion mechanism of boron and phosphorus and behaviour with diffusion parameter, is understood.

Benzer Tezler

  1. Investigation of electrical, thermal and chemical characteristics of zinc borate-filled htv silicone rubber composites

    Çinko borat katkılı htv silikon kauçuk kompozitlerinin elektriksel, ısıl ve kimyasal özelliklerinin incelenmesi

    İDRİS ÖZDEMİR

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2023

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Elektrik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. SUAT İLHAN

  2. Bor'un sıvı-sıvı ekstraksiyonunda kullanmak üzere değişik yöntemlerle 1,3-diol sentezi

    Synthesis of 1,3 diols with different methods to use for liquid-liquid extraction of boron

    MEHMET KARAKAPLAN

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    1998

    KimyaDicle Üniversitesi

    Kimya Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. HALİL HOŞGÖREN

  3. Bor'un sıvı-sıvı ektraksiyonu için 1,3 diol dizaynının bilgisayarlı modelleme ( yarı-Ampirik ve DFT) ile çalışması

    A computational modelling (DFT and Am1) of 1,3-diols for liquid-liquid extraction of boron

    UYAN YÜKSEL

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2004

    KimyaDicle Üniversitesi

    Kimya Ana Bilim Dalı

    DOÇ.DR. NECMETTİN PİRİNÇÇİOĞLU

  4. Bor'un ökaryot hücrelerdeki sitotoksik etkisinin standart test yöntemi ile belirlenmesi

    Determination of cytotoxic effect of boron on eucaryotic cells by use standard test system

    RECEP LİMAN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2004

    BiyolojiAfyon Kocatepe Üniversitesi

    Biyoloji Ana Bilim Dalı

    PROF.DR. MUHSİN KONUK

  5. Bor'un sıvı-sıvı ekstraksiyonu

    Liquid-liquid extraction of boron

    PELİN ÖZAY

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2004

    KimyaDokuz Eylül Üniversitesi

    Kimya Ana Bilim Dalı

    DOÇ.DR. MÜRÜVVET YURDAKOÇ